[发明专利]具有偏移部件的半导体器件

说明书

优先权数据

本申请要求2011年12月16日提交的、临时申请号为61/576,663、名称为“SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BIASED FEATURE”的优先权，该申请的全部公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及具有偏移部件的半导体器件。

背景技术

集成电路(IC)工业已经历快速增长。IC材料，设计以及制造设备方面的技术进步已经生产了几代IC，其中每代IC具有比前代更小和更复杂的电路。在这些进步的历程中，已经研发出用于实现期望的更小部件尺寸的制造方法。例如，已经研发了减小衬底上部件的间距而不改变使用的光刻技术的方法。

然而，这些方法和技术进步引起了挑战。例如，随着技术节点减少，IC的层间对准变得更关键并且更困难。因此，所期望的是使部件间距减小的器件和方法，同时保持与上方部件的对准。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个线元件，包括：

第一线元件，具有第一宽度的第一区和第二宽度的偏移区，所述第二宽度不同于所述第一宽度；

形成与所述多个线部件中的每一个的侧壁邻接的间隔元件；

在形成所述间隔元件后，从所述衬底去除所述多个线元件；

在去除所述多个线元件后使用所述间隔元件蚀刻下面的层。

在可选实施例中，形成所述间隔元件包括在所述衬底上形成材料的共形层以及蚀刻所述共形层以形成所述间隔元件。

在可选实施例中，所述第二宽度小于所述第一宽度。

在可选实施例中，所述方法进一步包括：在所蚀刻的下面的层上形成接触元件。

在可选实施例中，所述方法进一步包括：使用所蚀刻的下面的层作为掩模元件以形成栅极结构；以及在所述栅极结构上形成接触元件。

在可选实施例中，所述接触元件形成在所述栅极结构的偏移区上，所述偏移区被与所述线元件的所述偏移区的侧壁邻接的所述间隔元件限定。

在可选实施例中，所述栅极结构形成在从所述衬底延伸的鳍状件上。

在可选实施例中，形成所述间隔元件包括形成邻接所述第一线元件的第一间隔元件，其中与所述第一线元件的所述偏移区邻接的所述第一间隔元件的第一区与邻接所述第一线元件的所述第一区的所述第一间隔元件的第二区不共线。

在可选实施例中，所述方法进一步包括：使用所述第一间隔元件作为掩模元件以形成在所述衬底上的栅极结构，其中所述栅极结构包括第一区，其与所述栅极结构的第二区不共线，所述栅极结构的所述第一区由所述第一间隔元件的所述第一区限定并且所述栅极结构的所述第二区由所述第二间隔元件的所述第二区限定；以及

在所述栅极结构的所述第一区上形成接触元件。

在可选实施例中，形成间隔元件包括形成邻接所述第一线元件的第一间隔元件，其中与所述第一线元件的所述偏移区邻接的所述第一间隔元件的第一区偏移与所述第一线元件的所述第一区邻接的所述第一间隔元件的第二区。

在可选实施例中，所述方法进一步包括：使用所述第一间隔元件的所述第一区和所述第二区作为掩模元件以蚀刻在所述衬底上设置的所述下面的层。

根据本发明的另一个方面，提供了一种finFET晶体管，包括：

衬底，具有从所述衬底延伸的鳍状件；

形成在所述衬底上的栅极结构，其中所述栅极结构包括：

第一部分和第二部分，其中所述第一部分和第二部分每一个都具有第一边缘和相对的第二边缘，并且其中第一边缘基本共线以及第二边缘基本共线；以及

介于所述第一部分和所述第二部分的偏移部分，所述偏移部分具有第一边缘和第二边缘，其中第一边缘和第二边缘与所述栅极结构的所述第一部分和所述第二部分的第一边缘和第二边缘不共线；以及

接触元件，连接至所述栅极结构的所述偏移部分。

在可选实施例中，所述偏移部分直接覆在所述鳍状件上。

在可选实施例中，所述第一部分包括侧壁，并且其中所述第一部分侧壁接触所述鳍状件的横向侧壁。

在可选实施例中，所述栅极结构包括金属栅电极。

根据本发明的又一个方面，提供了一种半导体器件，包括：

形成在半导体衬底上的栅极结构，其中所述栅极结构包括：