[发明专利]以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法，其特征在于：采用可膨胀石墨为碳源，硅粉和二氧化硅粉为硅源，将碳源和硅源混合并研磨均匀置于石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内，抽真空并充入保护气体；升温到1300～1800℃，保温烧结2～8h，整个制备过程中炉内压强低于1MPa；随炉自然冷却至常温，开炉即得SiC纳米线。

2.根据权利要求1所述的以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法，其特征在于：所述的硅源和碳源的原料质量分数百分比：可膨胀石墨占总质量的比例为5.2%~57.7%、硅粉占总质量的比例为质量分数百分比为13.5%~30.2%，二氧化硅粉占总质量的比例为质量分数百分比为28.8%~64.6%的混合物。

3.根据权利要求1所述的以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法，其特征在于：所述的硅粉和二氧化硅粉为硅源制备的SiC纳米线为单晶β-SiC纳米线，直径为10~100nm，宏观表现为墨绿色粉末。

4.一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法，其特征在于：采用可膨胀石墨为碳源，正硅酸乙酯为硅源，将正硅酸乙酯溶解于无水乙醇中，加入草酸以加速正硅酸乙酯水解，然后加入可膨胀石墨，磁力搅拌配制混合凝胶，凝胶在70℃干燥4小时，再升至90℃干燥4小时，再升至110℃干燥4小时，研磨成粉状置于石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内，抽真空并充入保护气体；升温到1300～1800℃，保温烧结2～8h，整个制备过程中炉内压强低于1MPa；随炉自然冷却至常温，开炉即得SiC纳米线。

5.根据权利要求4所述的以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法，其特征在于：所述的正硅酸乙酯：可膨胀石墨的摩尔比为1：0.2～5，正硅酸乙酯：无水乙醇：水的摩尔比为1：0.86：4，草酸稀释至0.01mol/L。

6.根据权利要求4所述的以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法，其特征在于：所述的正硅酸乙酯为硅源制备的SiC纳米线为单晶β-SiC纳米线，直径为50~500nm，宏观表现为浅绿色或灰白色棉花状物质。