[发明专利]在硅片上制作八边形微孔的方法

权利要求书

1.一种在硅片上制作八边形微孔的方法，包括如下步骤：

步骤1：取一取向为(100)型的硅片；

步骤2：采用脉冲激光辐照的方法，在硅片上形成微孔；

步骤3：通过碱腐蚀工艺，将微孔腐蚀为八边形孔，该八边形孔的侧壁相隔出现金字塔结构和片层结构。

2.根据权利要求1所述的在硅片上制作八边形微孔的方法，其中所述脉冲激光的脉宽从毫秒量级到飞秒量级，激光波长范围从100nm到2000nm。

3.根据权利要求1所述的在硅片上制作八边形微孔的方法，其中所述硅片是N(100)或者P(100)取向的单晶硅片。

4.根据权利要求1所述的在硅片上制作八边形微孔的方法，其中所述的微孔是单个微孔，或是激光扫描形成的微孔阵列，微孔的尺寸为10微米到1毫米。

5.根据权利要求1所述的在硅片上制作八边形微孔的方法，其中碱腐蚀工艺的碱溶液以质量百分比计，碱溶液含量比例为氢氧化钠或者氢氧化钾2％-20％，硅酸纳0-3％，异丙醇0-5％，其余为水。