[发明专利]CMOS晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括与NMOS晶体管对应的第一区域和PMOS晶体管对应的第二区域；

在所述第一区域上表面形成第一栅极结构，且在所述第二区域上表面形成第二栅极结构；

在所述第一栅极结构、第二栅极结构和衬底上表面形成拉伸应力层；

在第二区域对应的拉伸应力层中进行离子注入；

进行退火处理；

刻蚀所述拉伸应力层，刻蚀后的拉伸应力层作为第一栅极结构的侧墙和第二栅极结构的侧墙。

2.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述拉伸应力层之前，在所述第一栅极结构、第二栅极结构和衬底上表面形成隔离介质层。

3.如权利要求2所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离介质层的材料包括：氧化硅。

4.如权利要求2所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离介质层的厚度范围包括：

5.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述拉伸应力层的材料包括：氮化硅。

6.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述拉伸应力层的厚度范围包括：

7.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火处理包括热退火、尖峰退火和激光退火中的一种或任意组合。

8.如权利要求7所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述热退火的温度范围包括：600℃~800℃。

9.如权利要求7所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述尖峰退火的温度范围包括：800℃~1100℃。

10.如权利要求7所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述激光退火的温度范围包括：1000℃~1300℃。

11.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述拉伸应力层之前，在所述第一栅极结构的侧面形成第一偏移间隙壁，且在所述第二栅极结构的侧面形成第二偏移间隙壁。

12.如权利要求11所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在形成第一偏移间隙壁之后，在第一偏移间隙壁和第一栅极结构两侧的衬底中进行轻掺杂离子注入，形成第一轻掺杂区；且在形成第二偏移间隙壁之后，在第二偏移间隙壁和第二栅极结构两侧的衬底中进行轻掺杂离子注入，形成第二轻掺杂区。

13.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述拉伸应力层之前，在所述第一栅极结构的上表面形成第一硬掩模层；且在所述第二栅极结构的上表面形成第二硬掩模层。

14.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一栅极结构或所述第二栅极结构从下至上依次包括栅介质层和栅电极。

15.如权利要求14所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅，所述栅电极的材料为多晶硅；或者，所述栅介质层的材料为高介电常数材料，所述栅电极的材料为金属。

16.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在第二区域对应的拉伸应力层中注入的离子包括：硼离子或锗离子。

17.如权利要求16所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，在第二区域对应的拉伸应力层中注入的离子剂量范围包括：1E15/cm3~1E16/cm3。

18.如权利要求1所述的CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述侧墙之后，进行重掺杂离子注入，在第一栅极结构及对应的侧墙两侧的衬底中进行重掺杂离子注入，形成第一源/漏区；且在第二栅极结构及对应的侧墙两侧的衬底中进行重掺杂离子注入，形成第二源/漏区。