[发明专利]光刻方法无效
| 申请号： | 201210258708.8 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103576466A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 徐春云 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，包括下列步骤：
在晶圆上涂覆六甲基二硅胺烷；
在所述晶圆上形成抗反射涂层并烘烤；
在所述晶圆上涂覆光刻胶，所述光刻胶为正性光刻胶；
对涂覆的光刻胶进行软烘；
对所述涂覆的光刻胶进行曝光；
对光刻胶进行曝光后烘烤；
对曝光后的光刻胶进行显影；
对显影后的光刻胶进行硬烘。
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述对涂覆的光刻胶进行软烘的步骤中，烘烤温度为105~115摄氏度，烘烤时间为60秒。
3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述烘烤温度为112摄氏度。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的光刻方法，其特征在于，所述对光刻胶进行曝光后烘烤的步骤中，烘烤温度为105~115摄氏度，烘烤时间为60秒。
5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述对光刻胶进行曝光后烘烤的步骤中的烘烤温度为112摄氏度。
6.根据权利要求1或5所述的光刻方法，其特征在于，所述对显影后的光刻胶进行硬烘的步骤中，烘烤温度为95~105摄氏度，烘烤时间为60秒。
7.根据权利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述对显影后的光刻胶进行硬烘的步骤中的烘烤温度为100摄氏度。
8.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述正性光刻胶为AZ6130。
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