[发明专利]用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构

权利要求书

1.一种用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其特征在于包括：第一掺杂类型的上层外延层和下层外延层；

布置在上层外延层和下层外延层中的第二掺杂类型的柱状掺杂区，其中所述柱状掺杂区在从所述上层外延层至所述下层外延层的方向上贯穿所述上层外延层，并穿过部分的下层外延层；

布置在所述上层外延层中的第二掺杂类型的击穿保护环区；

与所述柱状掺杂区相连的第一电极的连接部分；

布置在第一外延层表面的具有第一掺杂类型的接触区，以及连接此接触区的第二电极。

2.根据权利要求1所述的用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其特征在于，所述下层外延层电阻测量结构被布置在晶圆的切割道内或专门的WAT测试区域内。

3.根据权利要求1或2所述的用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其特征在于，所述击穿保护环是位于所述柱状掺杂区外周的多个环形区域。

4.根据权利要求3所述的用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其特征在于，所述多个环形区域用作保护环。

5.根据权利要求1或2所述的用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其特征在于，所述接触区的掺杂浓度大于所述上层外延层的掺杂浓度，且掺杂类型与第一掺杂类型一致。

6.根据权利要求1或2所述的用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构，其特征在于，所述击穿保护环使所述下层外延层与所述柱状掺杂区形成的测试二极管的击穿最先发生在所述柱状掺杂区的底部。

7.一种晶片可接受性测试方法，其特征在于采用了根据权利要求1之6之一所述的用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构。