[发明专利]RF LDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种RF LDMOS器件，其特征在于，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂区，在P外延左部形成一P阱，在N型漏端轻掺杂漂移区左侧到所述P阱右部上方形成有栅氧，所述栅氧上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方、侧面及所述N型漏端轻掺杂漂移区左部上方形成有介质层，所述介质层右部上方形成有法拉第盾；其特征在于，

所述法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，该单层金属层同多晶硅栅、N型漏端轻掺杂漂移区之间为介质层，漂移部呈从左端到右端逐级升高的阶梯状。

2.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

漂移部呈从左端到右端逐级升高的两级台阶的阶梯状。

3.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

漂移部呈从左端到右端逐级升高的三级台阶的阶梯状。

4.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

漂移部左端首级台阶同N型漏端轻掺杂漂移区之间的介质层厚度为10nm～800nm,相邻台阶同N型漏端轻掺杂漂移区之间的介质层厚度相差10nm～100nm，每级台阶的长度为0.01～3um，漂移部左端到多晶硅栅边缘的距离为0.001～0.3um，多晶硅部位于多晶硅栅正上方部分的长度为0～1um。

5.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

所述P阱的上部形成有一N型源端重掺杂区；

所述N型漏端轻掺杂漂移区的右部形成有一N型漏端重掺杂区；

所述N型漏端重掺杂区、N型源端重掺杂区的N型杂质浓度，大于N型漏端轻掺杂漂移区的N型杂质浓度；

所述N型源端重掺杂区右侧的P阱上方，及所述P阱与所述N型漏端轻掺杂漂移区之间的P外延上方，形成有所述栅氧。

6.一种权利要求1所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在P外延右部形成一N型漏端轻掺杂漂移区，在P外延左部形成一P阱，在N型漏端轻掺杂漂移区左侧到所述P阱右部上方形成栅氧，在栅氧上方形成多晶硅栅；

二.在硅片上淀积一层介质层；

三.通过光阻在N型漏端轻掺杂漂移区左部上的介质层上定义出漂移部的二级以上台阶；

四.刻蚀介质层，在N型漏端轻掺杂漂移区左部形成介质层厚度从左到右依次增高的二级以上台阶；

五.去除硅片上的光阻，在硅片上淀积一金属层；

六.光刻刻蚀金属层，只保留多晶硅栅右部到整个漂移部的介质层上方的金属层，形成法拉第盾；

七.进行后续工艺，形成RF LDMOS。

7.根据权利要求6所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，

漂移部左端到多晶硅栅边缘的距离为0.001～0.3um；

漂移部左端首级台阶同N型漏端轻掺杂漂移区之间的介质层厚度为10nm～800nm,相邻台阶同N型漏端轻掺杂漂移区之间的介质层厚度相差10nm～100nm，每级台阶的长度为0.01～3um；

金属层厚度为0.01～3um；

多晶硅栅右部正上方的金属层的长度为0～1um。

8.根据权利要求6所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，

步骤一中包括以下步骤：

（1）在P衬底上生长P外延；

（2）在P外延左部通过P离子注入及高温推阱形成一P阱；

（3）在P外延上生长栅氧；

（4）在栅氧上淀积多晶硅；

（5）通过光阻定义多晶硅栅的位置和面积，多晶硅栅的左端在所述P阱的右部上方，将多晶硅栅区域之外的栅氧及多晶硅刻蚀去除；

（6）保留多晶硅栅区域顶部的光阻，进行N型轻掺杂离子注入，在多晶硅栅右侧的P外延上部形成一N型漏端轻掺杂漂移区，在多晶硅栅左侧的P阱上部形成一N型源端轻掺杂区；

（7）通过光刻定义出一N型源端重掺杂区的位置及面积、一N型漏端重掺杂区的位置及面积，进行N离子注入，形成该N型源端重掺杂区及该N型漏端重掺杂区；该N型源端重掺杂区位于所述N型源端轻掺杂区的右部，该N型漏端重掺杂区位于所述N型漏端轻掺杂漂移区的右部。