[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有掩膜层，且所述半导体衬底内具有相互隔离的第一开口；

在所述第一开口侧壁形成保护层；

以所述保护层和掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一开口底部，形成第二开口；

刻蚀所述第二开口的侧壁，使所述第二开口的侧壁向半导体衬底内凹陷；

在刻蚀所述第二开口的侧壁之后，去除所述保护层和掩膜层，相邻第一开口和第二开口之间的半导体衬底形成鳍部。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀第二开口的侧壁的工艺为各向同性的干法刻蚀或各向同性的湿法刻蚀。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀后，所述第二开口的侧壁和底部表面呈圆弧型，且表面光滑。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀第二开口的侧壁的工艺为各向异性的湿法刻蚀。

5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性的湿法刻蚀的刻蚀液为四甲基氢氧化铵。

6.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口侧壁表面的晶面为（100）。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀后的所述第二开口的侧壁垂直于半导体衬底表面。

8.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口侧壁表面的晶面为（110）。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀后的所述第二开口的侧壁与半导体衬底表面呈“Σ”型。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅，厚度为5-30纳米。

11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅，厚度为5-10纳米。

12.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口的深度为20-40纳米。

13.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二开口侧壁的最大厚度为10-50埃。

14.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度为10-30纳米。

15.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成工艺包括：在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露部分半导体衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，形成第一开口。

16.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述鳍部的顶部和侧壁表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源/漏区。

17.如权利要求16所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括横跨所述第一子鳍部的顶部和侧壁的栅介质层、以及位于所述栅介质层表面的栅电极层。

18.如权利要求16所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅或高K介质，所述栅电极层的材料为多晶硅或金属。