[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层，所述有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜将所述发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层封装于所述导电基底上，其中，所述第一保护层的材料为CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，所述阻挡层的材料为SiCON，所述第二保护层的材料为SiO。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一保护层的厚度为200~300nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层的厚度为350~550nm。

4.如权利要求1或3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层的数量至少为3个。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二保护层的厚度为100~150nm。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括在所述导电基板与所述发光层之间依次设置的空穴注入层和空穴传输层，以及在所述发光层与所述阴极之间依次设置的电子传输层和电子注入层。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在导电基板上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

使用真空蒸发的方式在所述阴极上蒸镀CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，形成第一保护层，其中，蒸发速度为

使用等离子体增强化学气相沉积法，在含有NH₃、O₂及Ar的气体氛围中，以六甲基二硅胺配合六甲基二硅氧烷或四乙氧基硅烷为原料，在所述第一保护层上沉积SiCON，形成阻挡层，其中，六甲基二硅胺的流量为4~14sccm，六甲基二硅氧烷或四乙氧基硅烷的流量为15~20sccm，Ar的流量为50~70sccm，所述NH₃和O₂的混合气体的流量为14~28sccm，NH₃占所述NH₃和O₂的混合气体的体积比为10~80%；

采用真空蒸镀的方式在所述阻挡层上制备SiO，形成第二保护层，其中，蒸发速度为以及

采用封装膜配合所述导电基板对所述发光层、所述阴极、所述第一保护层、所述阻挡层及所述第二保护层封装进行封装处理，得到所述有机电致发光器件。

8.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括在制备发光层之前采用真空蒸镀的方法在所述导电基板上依次制备空穴注入层及空穴传输层的步骤；

以及在制备阴极之前，采用真空蒸镀的方法在所述发光层上制备电子传输层及电子注入层的步骤。

9.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的数量至少为3个。

10.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装处理是使用紫外光固化胶涂布在封装膜的边缘，然后在波长为200~400nm，光强为10~15mW/cm²的紫外光下对紫外光固化胶曝光300~400s。