[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的导电基板、发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层，所述有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜将所述发光层、阴极、第一保护层、阻挡层及第二保护层封装于所述导电基底上，其中，所述第一保护层的材料为CuPc、NPB、Alq₃、SiO、MgF₂或ZnS，所述阻挡层包括层叠设置的SiOC层、隔离层及SiON层，所述第二保护层的材料为SiO。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一保护层的厚度为200~300nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述SiOC层的厚度为400~600nm。

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述隔离层的材质为WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al，厚度为100~150nm。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述SiON层的厚度为400~600nm。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层的数量至少为3个。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二保护层的厚度为100~150nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括在所述导电基板与所述发光层之间依次设置的空穴注入层和空穴传输层，以及在所述发光层与所述阴极之间依次设置的电子传输层和电子注入层。

9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在导电基板上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

使用真空蒸发的方式在所述阴极上蒸镀CuPc层、NPB层、Alq₃层、SiO层、MgF₂层或ZnS层作为第一保护层，其中，蒸发速度为

使用等离子体增强化学气相沉积法，采用六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷或四乙氧基硅烷为原料，在N₂O和Ar的混合气体氛围中在所述第一保护层上沉积SiOC层，其中，六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷或四乙氧基硅烷的流量为20~25sccm，所述N₂O和Ar的混合气体的流量为20~50sccm，N₂O占所述混合气体的体积比为5~80%；

采用真空蒸镀的方法，在所述SiOC层上蒸镀WO₃、MoO₃、V₂O₅、Au、Ag或Al作为隔离层，其中，蒸发速度为

使用等离子体增强化学气相沉积法，在含有六甲基二硅胺、NH₃、O₂及Ar的氛围中，在所述隔离层上制备SiON层，其中，六甲基二硅烷的流量为5~15sccm，Ar流量为60~80sccm，NH₃与O₂的流量为15~30sccm，NH₃占NH₃与O₂混合气体的体积比为10~90%；

采用真空蒸镀的方式在所述SiON层上制备SiO层作为第二保护层，其中，蒸发速度为

采用封装膜配合所述导电基板对所述发光层、所述阴极、所述第一保护层、所述阻挡层及所述第二保护层封装进行封装处理，得到所述有机电致发光器件。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括在制备发光层之前采用真空蒸镀的方法在所述导电基板上依次制备空穴注入层及空穴传输层的步骤；

以及在制备阴极之前，采用真空蒸镀的方法在所述发光层上制备电子传输层及电子注入层的步骤。