[发明专利]一种电荷补偿MOS半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210294747.3 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103594514A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 补偿 mos 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种电荷补偿MOS半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料；
漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个
沟槽，位于漂移层表面，沟槽内下部设置有掺氧多晶半导体材料；
体区，为第二传导类型的半导体材料，位于沟槽间漂移层上部；
源区，为第一传导类型的半导体材料，位于体区内上部临靠沟槽和器件表面；
栅极介质，为多晶半导体材料或金属，位于沟槽内上部，栅极介质与体区和源区间通过绝缘材料层进行隔离。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的掺氧多晶硅可以为具有导电杂质掺杂的掺氧多晶半导体材料。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内下部设置的掺氧多晶半导体材料可以为掺氧多晶硅。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内下部设置的掺氧多晶半导体材料可以位于沟槽内壁，同时沟槽内下部填充绝缘材料。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的掺氧多晶半导体材料与漂移层第一传导半导体材料可以形成电荷补偿结构。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内下部设置的掺氧多晶半导体材料附近区域可以设置有条状第二传导类型的半导体材料，且其与体区不相连。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：所述的条状第二传导类型的半导体材料和掺氧多晶半导体材料与漂移层第一传导半导体材料可以形成电荷补偿结构。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的漂移层中可以设置条状第二传导类型的半导体材料，其与体区相连，与掺氧多晶半导体材料不相连。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：所述的条状第二传导类型的半导体材料和掺氧多晶半导体材料与漂移层第一传导半导体材料可以形成电荷补偿结构。
10.如权利要求1所述的一种电荷补偿MOS半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）在衬底层外延生长第一传导类型半导体材料层；
2）在半导体材料表面形成钝化层，在待形成沟槽区表面去除钝化层；
3）在所形成窗口依次进行第二传导类型杂质扩散和第一传导类型杂质扩散；
4）在所形成窗口进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；
5）在沟槽内淀积掺氧多晶半导体材料，干法反刻蚀掺氧多晶半导体材料；
6）进行热氧化，在沟槽内壁形成钝化层，淀积栅极介质，进行栅极介质回刻蚀；
7）在器件表面淀积钝化层，腐蚀去除栅极介质、源区和体区表面的钝化层。
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