[发明专利]降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括像素区域，所述像素区域结合光电二极管；

栅格，设置在所述衬底之上，所述栅格具有限定腔的壁，所述腔与所述像素区域垂直对准；以及

滤色器，设置在所述栅格的壁之间的腔中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅格是金属。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅格包括低折射率材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅格设置在背照式膜的上方。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述滤色器包括聚合物。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，微透镜设置在所述滤色器的顶面上方和与所述滤色器相邻的所述栅格的壁的顶面上方。

7.一种半导体器件，包括：

衬底，包括像素区域，每个像素区域都结合光电二极管；

栅格，设置在所述衬底之上，所述栅格具有限定腔的壁，每个腔都与一个像素区域垂直对准；

滤色器，设置在每个腔中；以及

微透镜，设置在每个滤色器之上。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体器件的像素区域中形成光电二极管；

在所述衬底上方沉积覆盖栅格层；

对所述覆盖栅格层进行图案化以形成栅格，所述栅格具有限定腔的壁，所述腔垂直设置在所述像素区域上方；以及

用滤色器填充所述腔。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在所述滤色器的顶面上方沉积微透镜。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在与所述滤色器相邻的所述栅格的壁的顶面上方沉积微透镜。