[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置无效

专利信息
申请号: 201210372270.6 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN102879958A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 谢畅 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板内侧、像素区域内的像素电极和公共电极;其特征在于,所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极,所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极,所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置;其中,所述墙形电极透明,所述墙形电极的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板,且为平板形,以使得通电时,相邻的所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间产生水平电场。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述墙形电极的两个侧壁平行。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一墙形电极的侧壁与其相邻的第二墙形电极的侧壁平行。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素区域包括:透射区和反射区;所述阵列基板还包括:设置在所述反射区的反射层;

位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极连接,且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距小于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距;或者,

位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极无连接,且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距等于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距,通电时,位于所述透射区的像素电极与所述公共电极间的电压差大于位于所述反射区的像素电极与所述公共电极间的电压差。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述反射层上的绝缘层,所述绝缘层同时延伸于所述透射区和反射区;

所述绝缘层在透射区的厚度大于所述绝缘层在反射区的厚度,且所述绝缘层在两区域厚度之差为所述反射层的厚度。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述墙形电极包括墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案;其中所述墙形凸起的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板,且为平板形,所述墙形凸起的材料为透明有机材料,所述电极图案的材料为透明导电材料。

7.一种液晶显示装置,包括:相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及位于两基板间的液晶,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置,其特征在于,所述第一墙形电极和/或第二墙形电极的顶端与所述彩膜基板的内侧接触;或者,所述第一墙形电极和所述第二墙形电极的顶端均与所述彩膜基板的内侧之间留有间隙。

9.根据权利要求7或8所述的液晶显示装置,其特征在于,所述液晶为蓝相液晶。

10.根据权利要求7或8所述的液晶显示装置,其特征在于,还包括:设置在所述阵列基板外侧的第一四分之一波片、第一二分之一波片、以及第一偏振片;设置在所述彩膜基板外侧的第二四分之一波片、第二二分之一波片、以及第二偏振片。

11.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在至少形成有栅金属层和源漏金属层的衬底基板上,制作透明有机材料薄膜,并利用构图工艺形成多个墙形凸起;其中,所述墙形凸起的两个相对的侧壁均垂直于所述衬底基板,且为平板形;所述栅金属层包括:栅线、薄膜晶体管的栅极;所述源漏金属层包括:数据线、薄膜晶体管的源极以及薄膜晶体管的漏极;

制作透明导电薄膜,并利用构图工艺形成像素电极、公共电极的电极图案;其中,所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极,所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极,所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置,所述墙形电极包括所述墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案。

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