[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置无效
申请号: | 201210372270.6 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102879958A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 谢畅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
TFT-LCD的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板,阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。为了能够实现显示的功能,还需要设置公共电极,这样在通电时,在公共电极和像素电极所形成电场的作用下,液晶会发生旋转,以控制光透过率的大小,进而实现显示。
根据电极结构的不同,目前的TFT-LCD可包括:AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching,高级超维场开关)型、IPS(In Plane Switch,横向电场效应)型、TN(Twist Nematic,扭曲向列)型等类型。其中,在AD-SDS型液晶显示器中,公共电极设置在阵列基板上,同一平面内各像素电极的边缘所产生的电场以及像素电极与公共电极间产生的电场形成多维电场;在IPS型液晶显示器中,公共电极也是设置在阵列基板上,公共电极和像素电极间产生横向电场;在TN型液晶显示器中,公共电极设置在彩膜基板上,公共电极和像素电极间产生垂直电场。
本发明提供一种具有新型电极结构的液晶显示装置。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置,用以通过设置在阵列基板上的公共电极和像素电极间产生水平电场,使得液晶显示装置实现显示功能。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板内侧、像素区域内的像素电极和公共电极;所述像素电极包括多个电连接的第一墙形电极,所述公共电极包括多个电连接的第二墙形电极,所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间隔设置;其中,所述墙形电极透明,所述墙形电极的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板,且为平板形,以使得通电时,相邻的所述第一墙形电极和所述第二墙形电极间产生水平电场。
可选的,所述墙形电极的两个侧壁平行。
可选的,所述第一墙形电极的侧壁与其相邻的第二墙形电极的侧壁平行。
可选的,所述像素区域包括:透射区和反射区;所述阵列基板还包括:设置在所述反射区的反射层;位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极连接,且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距小于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距;或者,位于所述透射区的像素电极和位于所述反射区的像素电极无连接,且位于所述透射区的相邻墙形电极的间距等于位于所述反射区的相邻墙形电极的间距,通电时,位于所述透射区的像素电极与所述公共电极间的电压差大于位于所述反射区的像素电极与所述公共电极间的电压差。
可选的,所述阵列基板还包括:设置在所述反射层上的绝缘层,所述绝缘层同时延伸于所述透射区和反射区;所述绝缘层在透射区的厚度大于所述绝缘层在反射区的厚度,且所述绝缘层在两区域厚度之差为所述反射层的厚度。
可选的,所述墙形电极包括墙形凸起以及覆盖所述墙形凸起的电极图案;其中所述墙形凸起的两个相对的侧壁分别垂直于所述衬底基板,且为平板形,所述墙形凸起的材料为透明有机材料,所述电极图案的材料为透明导电材料。
另一方面,本发明实施例提供了一种液晶显示装置,包括:相对设置的阵列基板和彩膜基板,以及位于两基板间的液晶,其中,所述阵列基板为上述的阵列基板。
可选的,所述第一墙形电极和/或第二墙形电极的顶端与所述彩膜基板的内侧接触;或者,所述第一墙形电极和所述第二墙形电极的顶端均与所述彩膜基板的内侧之间留有间隙。
可选的,所述液晶为蓝相液晶。
可选的,所述液晶显示装置还包括:设置在所述阵列基板外侧的第一四分之一波片、第一二分之一波片、以及第一偏振片;设置在所述彩膜基板外侧的第二四分之一波片、第二二分之一波片、以及第二偏振片。
又一方面,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制造方法,包括:
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