[发明专利]承载板的制作方法无效
申请号: | 201210393732.2 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103779233A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 周鄂东 | 申请(专利权)人: | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
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地址: | 066000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及电路板制作技术领域,尤其涉及一种承载板的制作方法。
背景技术
承载板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效,以实现多引脚化,缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。
在采用承载板对芯片进行封装的过程中,当承载板的厚度较小时,需要采用硬性的支撑板进行支撑。现有技术中,通常同时制作正反两个基板同时进行封装,而将支撑板设置在两个基板之间。为了能够使得封装后得到的正反两面的芯片封装体相互分离,通常需要采用一种特殊的铜箔作为支撑板与承载板相连接的部分。所述特殊的铜箔为两层铜箔之间夹设一层胶层的结构,并且两层铜箔的厚度不同。这种铜箔的价格昂贵,增加了承载板的制作的成本。
发明内容
因此,有必要提供一种承载板的制作方法,以降低承载板的制作成本。
一种承载板的制作方法,包括步骤:提供第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔,所述胶片具有中心区,所述第一离型膜与第二离型膜的形状及大小与所述中心区的形状及大小相互对应;依次压合第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔成为一个整体,所述胶片的中心区的两侧与第一离型膜和第二离型膜相互接触,得到多层基板,所述多层基板包括产品区及环绕产品区的废料区,所述产品区在第一铜箔表面的正投影位于所述中心区在第一铜箔表面的正投影之内;在所述第一铜箔表面电镀形成多个第一电性接触垫,在所述第二铜箔表面上电镀形成多个第二电性接触垫;在所述多个第一电性接触垫及第一铜箔表面压合第一介电层及第一导电层,在多个所述第二电性接触垫及第二铜箔表面压合第二介电层及第二导电层;在第一介电层及第一导电层内形成第一导电盲孔,并将第一导电层制作形成第三电性接触垫,在第二介电层及第二导电层内形成多个第二导电盲孔,并将第二导电层制作形成多个第四电性接触垫;沿着产品区与废料区的交界线进行切割,并使得产品区中的第一铜箔与第一离型膜自然脱离,产品区中的第二铜箔与第二离型膜自然脱离,从而得到相互分离的第一承载基板和第二承载基板;以及从第一承载基板中去除第一铜箔,得到第一承载板,从第二承载基板中去除第二铜箔,得到第二承载板。
与现有技术相比本技术方案提供的承载板进行制作过程中,通过在胶片的两侧设置有横截面积小于第一铜箔和第二铜箔的离型膜,这样,在制作形成导电线路之后,可以容易地将胶片与第一承载基板和第二承载基板分离。因此,本技术方案提供的承载板的制作方法,可以避免使用价格较为昂贵的特殊铜箔结构,从而降低了承载板的制作成本。
附图说明
图1是本技术方案实施例提供的第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔的剖面示意图。
图2是本技术方案实施例提供的压合第一铜箔、第一离型膜、胶片、第二离型膜及第二铜箔后得到多层基板的剖面示意图。
图3是图2中的承载基板中形成第一工具孔后的剖面示意图。
图4是图3的第一溅镀铜层上形成第一光致抗蚀剂图形,在第二溅镀铜层上形成第二光致抗蚀剂图形后的剖面示意图。
图5是图4在第一光致抗蚀剂图形中形成第一电性接触垫,在第二光致抗蚀剂图形中形成第二电性接触垫后的剖面示意图。
图6是图5去除第一光致抗蚀剂图形和第二光致抗蚀剂图形后的剖面示意图。
图7是图6的第一铜箔表面压合第一介电层和第一导电层并在第二铜箔表面压合第二介电层和第二导电层后的剖面示意图。
图8及9是图7的第一介电层和第一导电层中形成第一导电盲孔,在第二介电层和第二导电层中形成第二导电盲孔的剖面示意图。
图10是图9中的第一导电层制作形成第一导电线路层,第二导电层制作形成第二导电线路层后的剖面示意图。
图11是图10的第一导电线路上形成第一防焊层,第三电性接触垫上形成第一保护层,第二导电线路上形成第二防焊层,第四电性接触垫上形成第二保护层后的剖面示意图。
图12及13是切割得到的第一承载基板和第二承载基板的剖面示意图。
图14是图13中的第一承载基板去除第一铜箔得到第一承载板,第二承载基板去除第二铜箔得到第二承载板的剖面示意图。
图15是图14的第一承载板和第二承载板形成第三保护层后的剖面示意图。
主要元件符号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造