[发明专利]一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器

权利要求书

1.一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，其特征在于：所述的探测器结构为在磷化铟衬底（1）上依次生长磷化铟层（2）、In_xGa_1-xAs层（3）、右掺杂In_yGa_1-yAs层（4）和左掺杂In_yGa_1-yAs层（5）、右掺杂In_zGa_1-zAs层（6）和左掺杂In_zGa_1-zAs层（7）以及正电极层（8）和负电极层（9）；其中：

所述的磷化铟衬底（1）厚度为0.5—1.5mm；

所述的磷化铟缓型层（2）厚度为50—150nm；

所述的In_xGa_1-xAs层（3）的厚度为2000—3000nm，其x值为0.537；

所述右掺杂In_yGa_1-yAs层（4）和左掺杂In_yGa_1-yAs层（5）的厚度为50—150nm，掺杂为Si，浓度大小为2×10¹⁸—1×10¹⁹cm^-3，y值为0.526；

所述的右掺杂In_zGa_1-zAs层（6）和左掺杂In_zGa_1-zAs层（7）厚度为250—350nm，掺杂为Si，浓度大小为1×10¹⁹—8×10¹⁹cm^-3，z值为0.526；

所述的正电极层（8）和负电极层（9）厚度为350—450nm，由金和锡溅射而成，用来兼做耦合天线和正负电极，该电极层覆盖在右掺杂In_zGa_1-zAs层（4），左掺杂In_zGa_1-zAs层（5），右掺杂In_yGa_1-yAs层（6）和左掺杂In_yGa_1-yAs层（7）和In_xGa_1-xAs层（3）形成的台阶的两侧表面和两侧边缘，并在接触处形成欧姆接触，而大部分的电极层都溅射在台阶两侧的表面上；右电极层（8）和左电极层（9）围绕探测器中心线两边成对称分布，对称分布结构中，正负电极指向对称中心的四个顶点D与右掺杂In_zGa_1-zAs层（6）和左掺杂In_zGa_1-zAs层（7）的边缘四个顶点重合且使其表面连接。

2.根据权利要求1所述的一种电场增强的铟镓砷太赫兹探测器，其特征在于：所述的正电极（8）和负电极（9）的尺寸为：对称中心四个顶点D距离探测器左边或者右边的距离为m1等于三分之一对称中心台阶的宽度m，m的大小为30—70um；探测器的尺寸m1×n小于100×100μm²；正负电极尺寸为s×t，s的大小为0.2—1.2mm，当s和t中有一个距离取定值时，另一个距离为探测器所探测波长的四分之一。