[发明专利]用于半导体装置性能改善的涂层

权利要求书

1.一种用于处理基片的等离子体处理腔室，其中，包括：

气体喷淋头，其包括一具有多个注气孔的多孔板和一等离子体曝露面，所述等离子体曝露面具有一涂覆了含钇涂层的抗等离子体涂层；

用于支持所述基片的夹盘；

围绕所述基片设置的聚焦环；

围绕所述聚焦环设置的覆盖环；以及，

围绕所述夹盘设置的等离子体约束环；

其中，所述聚焦环、所述覆盖环、所述等离子体约束环中的至少一个的等离子体曝露面涂覆了抗等离子体涂层。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，位于所述多孔板的所述等离子体曝露层上的抗等离子体涂层和位于所述聚焦环、覆盖环和/或等离子体约束环的所述等离子体曝露层上的抗等离子体涂层具有同样的材料组成。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述多孔板进一步地包括一个接地环。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述多孔板包括SiC。

5.根据权利要求3所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述多孔板包括铝合金。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述聚焦环和所述覆盖环为一单片式的复合覆盖环。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述复合覆盖环包括一基于钇的涂层。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述复合覆盖环是由Al₂O₃制成，所述基于钇的涂层包括Y₂O₃。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理腔室，其特征在于，复合覆盖环不接地，以形成一延伸射频电极。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述等离子体约束环包括一具有Y₂O₃涂层的流量均衡化离子屏蔽装置。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述聚焦环和所述覆盖环包括一单一复合环，所述复合环由选自Si、SIC、Y₂O₃、石英、Al₂O₃之一的固体材料制成，并具有选自Y₂O₃、YF₃、ErO₂、SiC、Si₃N₄、ZrO₂、Al₂O₃之一的抗等离子体涂层。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述多孔板的抗等离子体涂层包括Y₂O₃涂层，其具有随机晶体取向的致密结构，其孔隙率小于1%，表面粗糙度大于1um。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述多孔板进一步地包括一位于所述等离子体曝露面之上和抗等离子体涂层之下的中间涂层，所述中间涂层的表面粗糙度大于4um。

14.根据权利要求12所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述聚焦环、覆盖环和等离子体约束环中至少之一的等离子体曝露面涂覆了抗等离子体涂层，其包括具有随机晶体取向的致密结构并且孔隙率小于1%的Y₂O₃涂层。

15.一种用于制造等离子体处理腔室的方法，其中，包括如下步骤：

制造一气体喷淋头组件，其包括一多孔板；

制造一聚焦环、一覆盖环和一等离子体约束环；

利用等离子体增强物理气相沉积施加抗等离子体涂层于所述多孔板以及所述聚焦环、所述覆盖环和所述等离子体约束环的至少其中之一。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述制造所述气体喷淋头组件步骤包括将所述多孔板由SiC制成。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述制造所述气体喷淋头组件步骤包括将所述多孔板由铝合金制成。