[发明专利]输入显示装置有效
申请号: | 201210424573.8 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN103116231A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 石桥邦昭;杉野晶子;千叶刚;藤田昌邦;山冈尚志 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/13363;G06F3/044 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及能够通过手指或触控笔等的接触来输入信息的输入显示装置。
背景技术
一直以来,包含液晶面板作为显示器的移动设备等的输入显示装置中,基于小型化或者薄型化的要求,在显示器的显示面搭载触摸面板的输入显示装置被实用化。触摸面板存在静电电容式、电阻膜式、光学方式、超声波方式或者电磁感应式等种种的方式。
例如,提出了在构成液晶显示装置的偏振片与液晶层之间组装了电阻膜式触摸传感器的内触摸型输入显示装置(专利文献1)。在如此结构的输入显示装置中,因为液晶层与触摸传感器的距离近,所以可以给予使用者自然的输入操作感。另外,因为在移动设备中,触摸传感器动作的频度非常高,所以从耐久性更加优良的优点出发,近年已经形成大量采用静电电容式触摸面板的现象。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-036143号公报
发明内容
发明解决的问题
但是,在使用包含在不存在电场的状态下平行取向的液晶分子的液晶层作为静电电容方式的液晶层,使用静电电容式传感器作为触摸传感器的情况下,存在经常发生显示缺陷或者误动作的问题。
本发明的目的是,提供能够在无损自然的操作感的情况下,降低显示缺陷的发生并且降低误动作的发生的输入显示装置。
用于解决问题的技术方案
为了实现所述目的,本发明的输入显示装置的特征在于,包含:包含在不存在电场的状态下平行取向的液晶分子的液晶层、配置于所述液晶层可视侧的第一偏振片、配置于所述第一偏振片与所述液晶层之间的静电电容式传感器、与配置于所述第一偏振片与所述静电电容式传感器之间且附着于所述第一偏振片的防静电层,所述静电电容式传感器具有透明基板、形成于所述透明基板上的透明电极图案、与以埋设所述透明电极图案的方式形成在所述透明基板上的第一粘合层,所述防静电层的表面电阻值为1.0×109~1.0×1011Ω/□。
优选的,本发明的输入显示装置还包含在所述防静电层与所述第一粘合层之间配置的扩大可视侧的可视角的相位差膜。
并且,也可以是,对于液晶层在可视侧的相反侧,介由第二粘合层配置第二偏振片。
并且,优选的,所述防静电层包含表面活性剂、碱金属盐、多元醇、导电性微粒以及导电性聚合物中的任一个,更优选的,所述碱金属盐是双(三氟链烷磺酰基)酰亚胺碱金属盐。
发明效果
根据本发明,在包含在不存在电场的状态下平行取向的液晶分子的液晶层与第一偏振片之间,配置表面电阻值为1.0×109~1.0×1011Ω/□的防静电层。如此,能够抑制以静电等为起因的第一偏振片的带电,从而抑制液晶层的液晶分子的取向缺陷。并且,通过将表面电阻值设定在所述范围,静电电容式传感器能够正确地检测在透明电极图案与使用者的手指之间产生的电容的变化。因此,能够在无损自然的操作感的情况下,降低显示缺陷的发生,并且还能够减少误动作的发生。
附图说明
图1是概略地表示本发明实施方式的输入显示装置的结构的剖视图。
图2是表示图1的输入显示装置的变形例的剖视图。
图3是表示图1的输入显示装置的其它变形例的剖视图。
图4是表示图1的防静电层的表面电阻值与在输入显示装置发生的误动作以及显示缺陷的关系的图。
符号说明
1,1',10输入显示装置
2,12液晶层
3偏振片
4,4',14静电电容式传感器
5,15防静电层
6透明基板
7,7’透明电极图案
8,8’粘合层
13第一偏振片
16上部基板
17透明电极图案
18第一粘合层
19相位差膜
20下部基板
21第二粘合层
22第二偏振片
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本发明的实施方式。
图1是概略地表示本发明实施方式的输入显示装置的结构的剖视图。应予说明,在图1中,为了说明的方便,使得构成输入显示装置的各层的厚度与实际的尺寸不同来进行记载,各层的厚度不限于图1的情况。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210424573.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器
- 下一篇:防灰尘计算机箱