[发明专利]一种开关电路无效
申请号: | 201210435921.1 | 申请日: | 2012-11-06 |
公开(公告)号: | CN102931963A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 张海虹 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区华锐装饰工程有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215021 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关电路 | ||
技术领域
本发明涉及电路领域,特别涉及一种开关电路。
背景技术
现有开关电路的反应敏感性和结构简化性的结合度尚有改善的空间。
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足,提供了一种简单有效的开关电路。
本发明是通过以下技术方案来实现的:
一种开关电路,包括两个开关、两个三极管、一个MOS管、五个电阻及三个电容,
MOS管的栅极与第一三极管的集电极相接,第一三极管的集电极串接二极管、第二电阻和第三电阻后接负载的供电电压端;第一三极管的发射极接地;第一三极管的基极与第二三极管的集电极相连,第二三极管的发射极接地,第二三极管的基极串接第四电阻、第一开关、第一电阻后接在第一三极管的集电极,第二开关与第一开关并联;
MOS管的漏极与第二三极管的基极之间串接第五电阻;同时,MOS管的漏极直接接负载后接供电电压;
MOS管的源极接地。
进一步的,所述二极管的负极接第一电容后接地。
进一步的,所述第一开关串接第一电阻的一端接第二电容后接地。
进一步的,所述第一三极管的集电极接在第二电阻和第三电阻之间。
优选的,包括两个开关、两个三极管、一个MOS管,五个电阻及三个电容,
MOS管的栅极与第一三极管的集电极相接,三极管Q1的集电极串接二极管D、电阻R2和电阻R3后接负载的供电电压端;三极管Q1的发射极接地;三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极相连,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的基极串接电阻R4、开关T1、电阻R1后接在三极管Q1的集电极,开关T2与开关T1并联;
MOS管的漏极与三极管Q2的基极之间串接第五电阻;且MOS管的漏极直接接负载后接供电电压;
MOS管的源极接地。
本发明的有益效果是:本发明的开关电路,适用于大电流,具有防抖动功能,结构简单,功能实用,适于市场化推广。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本发明的开关电路的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作具体的说明。
本实施例的开关电路的电路原理图:
一种开关电路,包括两个开关、两个三极管、一个MOS管、五个电阻及三个电容,
MOS管的栅极与第一三极管的集电极相接,第一三极管的集电极串接二极管、第二电阻和第三电阻后接负载的供电电压端;第一三极管的发射相接地;第一三极管的基极与第二三极管的集电极相连,第二三极管的发射极接地,第二三极管的基极串接第四电阻、第一开关、第一电阻后接在第一三极管的集电极,第二开关与第一开关并联;
MOS管的漏极与第二三极管的基极之间串接第五电阻;同时,MOS管的漏极直接接负载后接供电电压;
MOS管的源极接地。
进一步的,所述二极管的负极接第一电容后接地。
进一步的,所述第一开关串接第一电阻的一端接第二电容后接地。
进一步的,所述第一三极管的集电极接在第二电阻和第三电阻之间。
实施例1
结合图1所示,一种开关电路,包括两个开关、两个三极管、一个MOS管,五个电阻及三个电容,
MOS管的栅极与第一三极管的集电极相接,三极管Q1的集电极串接二极管D、电阻R2和电阻R3后接负载的供电电压端;三极管Q1的发射极接地;三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极相连,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的基极串接电阻R4、开关T1、电阻R1后接在三极管Q1的集电极,开关T2与开关T1并联;
MOS管的漏极与三极管Q2的基极之间串接第五电阻;同时,MOS管的漏极直接接负载后接供电电压;
MOS管的源极接地。
进一步的,二极管D的负极接电容C1后接地;开关T1串接电阻R1的一端接电容C2后接地;三极管Q1的集电极接在电阻R2和电阻R3之间。
优选的,所述电阻R1的阻值为500Ω,电阻R2和电阻R3的阻值为5kΩ,电阻R4的阻值为110kΩ,电阻R5de阻值为15kΩ,电容C1的容值为5μF,电容C2和电容C3的容值为1μF,供电电压VCC为15V。
本发明的开关电路的具体电路阐述如下:
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