[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法有效
申请号: | 201210438932.5 | 申请日: | 2012-11-06 |
公开(公告)号: | CN103227049A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 金孝政;尹硕晛;金昶勋;李炳华;权祥勋 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 施娥娟;桑传标 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层陶瓷电子元件,该多层陶瓷电子元件包括:
陶瓷本体;
外电极,该外电极形成在所述陶瓷本体的外表面;以及
内电极,该内电极与所述陶瓷本体内的陶瓷层层压,每个所述陶瓷层插设在所述内电极之间,
其中所述陶瓷本体包括工作区域和覆盖区域,所述工作区域在最上方的内电极和最下方的内电极之间,所述覆盖区域形成在所述工作区域的上方或下方,
形成在所述工作区域的上方或下方的所述覆盖区域内的陶瓷颗粒的平均直径DC小于所述工作区域内的陶瓷颗粒的平均直径Da,并且
当所述覆盖区域的厚度表示为TC时,满足9μm≤TC≤25μm和TC/DC≥55。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中所述覆盖区域内的陶瓷颗粒的平均直径DC为所述覆盖区域内的陶瓷颗粒的沿所述陶瓷本体的厚度方向的平均直径。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中满足1.1≤Da/DC≤4.4。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中所述陶瓷本体包括电介质材料。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子元件,其中所述电介质材料包括钛酸钡或钛酸锶。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中层压在所述陶瓷本体内的内电极的数量为250个或更多。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中所述内电极包括从由镍、钯以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。
8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中所述外电极包括从由镍、镍合金以及钯所构成的组中选取的至少一者。
9.一种多层陶瓷电子元件,该多层陶瓷电子元件包括:
陶瓷本体,该陶瓷本体包括内电极层压部,该内电极层压部中层压有多个内电极;以及
外电极,该外电极形成在所述陶瓷本体的外表面,
其中,在所述陶瓷本体的内电极层压部外部的外部区域的厚度TC为9μm至25μm,所述外部区域内的陶瓷颗粒的平均直径DC小于所述陶瓷本体的内电极层压部内的陶瓷颗粒的平均直径Da,且满足TC/DC≥55。
10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中在所述内电极层压部内,所述多个内电极之间的相邻的内电极沿相反的方向引出。
11.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中所述外部区域沿所述内电极层压部内的所述内电极的层压方向布置。
12.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中所述外部区域内的陶瓷颗粒的平均直径DC为所述外部区域内的陶瓷颗粒的沿所述陶瓷本体的厚度方向的平均直径。
13.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中满足1.1≤Da/DC≤4.4。
14.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中所述陶瓷本体包括电介质材料。
15.根据权利要求14所述的多层陶瓷电子元件,其中所述电介质材料包括钛酸钡或钛酸锶。
16.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中层压在所述陶瓷本体内的内电极的数量为250个或更多。
17.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中所述内电极包括从由镍、钯以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。
18.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子元件,其中所述外电极包括从由镍、镍合金以及钯所构成的组中选取的至少一者。
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