[发明专利]一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201210448657.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102936147A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 欧阳海波;李翠艳;黄剑锋;费杰;曹丽云;卢靖 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/565;C04B35/622;C04B38/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 sic 多孔 复合 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：以碳纤维作为骨架，在碳纤维的骨架上沉积热解碳，然后在碳纤维表面沉积碳微球，得到多孔碳模板，接着，在多孔碳模板中引入纳米氧化物颗粒，最后以摩尔比为2:1~2:3的硅和二氧化硅混合粉末作为硅源，将多孔碳模板放置在硅和二氧化硅混合粉末上方进行烧结，即可。
2.如权利要求1所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：所述碳微球的尺寸控制在200~500nm。
3.如权利要求1所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：烧结时，保证多孔碳模板与反应容器的内壁紧密接触。
4.如权利要求1所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：所述热解碳层的厚度控制在1~5μm。
5.如权利要求1或2所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：所述在碳纤维表面沉积碳微球的方法为：将沉积有热解碳的碳纤维骨架放置在微波水热反应仪中，以葡萄糖为碳源，在碳纤维表面沉积碳微球。
6.如权利要求5所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：在沉积碳微球的方法中，所述葡萄糖的浓度控制在10~100g/L，反应温度控制在150~250℃。
7.如权利要求1所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：引入纳米氧化物颗粒的方法为：将多孔碳模板放置在微波水热反应仪中，以金属无机盐作为原料，在多孔碳模板中引入纳米氧化物颗粒，最终得到的纳米氧化物的尺寸控制在5~50nm。
8.如权利要求7所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：在引入纳米氧化物颗粒的方法中，所述金属无机盐溶液的浓度控制在0.5~3.0mol/L，反应温度控制在150~250℃。
9.如权利要求1所述的一种高比表面积SiC/C多孔复合陶瓷的制备方法，其特征在于：烧结方法为：氛围：真空，反应温度：1300~1600℃，反应分压控制在1KPa~100KPa。
10.一种根据权利要求1~9所述的方法制备的SiC/C多孔复合陶瓷，其特征在于：所述SiC/C多孔复合陶瓷的比表面积为30~120m2/g。
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