[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个页包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及

外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于所述标志单元的数据而省略对所述选中的存储块的擦除操作，

其中，当在接收到所述擦除请求之前对所述多个页中的每个页执行编程操作，相应标志单元被编程为具有编程状态，以及

其中，所述外围电路被配置成当所述选中的存储块的所述标志单元中的至少一个处于编程状态时执行擦除操作，以及当所述选中的存储块的所述标志单元处于擦除状态时省略所述擦除操作。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成将相同的电压供应给与所述选中的存储块的标志单元耦接的字线，以在对与所述选中的存储块的标志单元耦接的位线预充电时，读取所述标志单元的数据，以及然后其中，所述外围电路被配置成感测所述位线的电压以判断所述选中的存储块的标志单元中的至少一个是否处于编程状态，或者所述选中的存储块的标志单元是否处于擦除状态。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，当对所述选中的存储块执行擦除操作时，擦除所述标志单元的数据。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中：

所述多个页包括多个偶数页和多个奇数页，以及

所述多个页还包括分别指示数据是否储存在所述多个偶数页中的第一标志单元、和分别指示数据是否储存在所述多个奇数页中的第二标志单元。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成从所述选中的存储块的第一标志单元中读取数据，并从所述选中的存储块的第二标志单元中读取数据，以及基于读取的数据省略擦除操作。

6.一种擦除半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：

当在接收到擦除请求之前对选中的存储块的页执行编程操作时，将所述选中的存储块的所述页中包括的标志单元编程为具有编程状态；

响应于所述擦除请求，从所述选中的存储块的页中的标志单元中读取数据；以及

当所述选中的存储块的页中的标志单元处于擦除状态时，省略对所述选中的存储块的擦除操作，以及

当所述选中的存储块的标志单元中的至少一个处于编程状态时，执行所述擦除操作。

7.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个包括多个主数据单元和指示数据是否储存在相应页中的所述多个主数据单元中的至少一个标志单元；以及

外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求而从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于读取的数据，利用比正常擦除操作的第二擦除脉冲低的第一擦除脉冲，对选中的存储块执行软擦除操作，

其中，当在接收到所述擦除请求之前对所述多个页中的每个页中的至少一个主存储单元执行编程操作时，相应标志单元被编程为具有编程状态。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成当所述选中的存储块的标志单元处于擦除状态时执行软擦除操作。

9.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成当所述选中的存储块的标志单元中的至少一个处于所述编程状态时，对所述选中的存储块执行正常擦除操作。

10.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路被配置成当字线电压被供应给与所述标志单元耦接的字线时，通过对与所述标志单元耦接的位线预充电并且感测所述位线的电压来从所述标志单元读取数据，以判断所述标志单元中的至少一个是否处于所述编程状态，或者所述标志单元是否处于擦除状态。