[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年8月8日提交的申请号为10-2012-0086902的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例总体而言涉及一种半导体器件及其操作方法。

背景技术

半导体存储器件是一种包括诸如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）以及磷化铟（InP）的半导体材料的存储器件，并且主要被分成易失性和非易失性类型。

易失性存储器件是一种当电源中断时储存在其中的数据会丢失的存储器件。不同类型的易失性存储器包括静态RAM（SRAM）、动态RAM（DRAM）以及同步DRAM（SDARM）。非易失性存储器件是一种当电源中断时仍保留储存在其中的数据的存储器件。不同类型的非易失性存储器件包括ROM（只读存储器）、可编程ROM（PROM）、电可编程ROM（EPROM）、电可擦除和可编程ROM（EEPROM）、快闪存储器、相变RAM（PRAM）、磁性RAM（MRAM）、阻变RAM（RRAM）以及铁电RAM（FRAM）。快闪存储器主要被分成NOR和NAND类型。

当执行编程操作和擦除操作时，诸如快闪存储器的半导体存储器件的存储器单元被用供应高电压。半导体存储器件的存储器单元随着编程/擦除周期增加而逐渐地恶化，这时即使储存的数据保留下来未改变，存储器单元的阈值电压也会上升。这会降低半导体存储器件的可靠性。

发明内容

本发明的各种实施例旨在减少半导体存储器件的恶化。

根据本发明的一个实施例，一种半导体存储器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页每个都包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求而从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于标志单元的数据省略对于选中的存储块的擦除操作。

外围电路可以被配置成当选中的存储块的标志单元处于擦除状态时省略擦除操作。

外围电路可以被配置成当选中的存储块中的标志单元中的至少一个处于编程状态时执行擦除操作。

外围电路可以被配置成当在接收到擦除请求之前对所述多个页中的每个执行编程操作时，对所述至少一个标志单元编程。

所述多个页可以包括多个偶数页和奇数页，并且还可以包括指示数据是否储存在所述多个偶数页中的第一标志单元、和指示数据是否储存在所述多个奇数页中的第二标志单元。

外围电路可以被配置成从选中的存储块中的第一标志单元和从选中的存储块的第二标志单元读取数据，并且基于读取的数据省略擦除操作。

在另一个实施例中，一种擦除半导体存储器件的方法包括以下步骤：响应于擦除请求从与选中的存储块的多个页相对应的标志单元中读取数据；以及基于读取的数据省略对选中的存储块的擦除操作。每个标志单元指示数据是否储存在所述多个页中。

根据本发明的另一个实施例，一种半导体存储器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个包括指示数据是否储存在相应的页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求，而从选中的存储块中的标志单元中读取数据，并且基于读取的数据，利用比正常擦除操作的第二擦除脉冲低的第一擦除脉冲，来对选中的存储块执行软擦除操作。

外围电路可以被配置成当选中的存储块的标志单元处于擦除状态时执行软擦除操作。

外围电路可以被配置成当选中的存储块的标志单元中的至少一个处于编程状态时对选中的存储块执行正常擦除操作。

附图说明

图1是示出根据本发明的一个实施例的半导体存储器件的框图；

图2是示出图1中所示的多个存储块中的一个的电路图；

图3是概念地示出第一存储块的框图；

图4是说明编程根据本发明的一个实施例的半导体存储器件的编程方法的流程图；

图5是示出在图1所示的存储器单元阵列内的存储器单元的阈值电压的分布的示图；

图6是说明根据本发明的一个实施例的擦除方法的流程图；

图7是示出当从选中的存储块的标志单元中读取数据时，供应给选中的存储块的电压的表；

图8是说明根据本发明的另一个实施例的擦除方法的流程图；

图9是示出图1中的存储块的另一个实施例的电路图；

图10是概念地示出图9的存储块的框图；