[发明专利]热插拔电路、接口电路及电子设备组件

权利要求书

1.一种热插拔电路，其特征在于，包括开关模块、电容模块、电容控制模块和限流模块，其中：

所述开关模块的第一端为电源输入接线端，所述开关模块的第二端为电源输出接线端，所述开关模块的第三端和所述电容模块的第二端、所述电容控制模块的第四端、所述限流模块的第一端相连；所述电路上电时，所述开关模块通过自身的导通过程控制所述电源输出接线端的输出电压逐渐变化至电源输入接线端的输入电压；所述电路断电时，所述开关模块通过自身的关断过程控制所述电源输出接线端的输出电压减小为零；

所述电容模块的第一端为电源输出接线端；所述电路上电时，所述电容模块通过自身的放电过程控制所述开关模块的导通过程；

所述电容控制模块的第一端为电源输入接线端，所述电容控制模块的第二端为接地端，所述电容控制模块的第三端为使能接线端；所述电路上电时，所述电容控制模块用于控制所述电容模块处于充电状态或放电状态；

所述限流模块的第二端为接地端；所述电路上电时，所述限流模块用于抑制电路中的电流冲击；所述电路断电时，所述限流模块用于为所述电容模块放电。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源输入接线端连接正电源时，所述开关模块具体为P沟道型MOS管，所述P沟道型MOS管的漏极作为所述开关模块的第一端，所述P沟道型MOS管的源极作为所述开关模块的第二端，所述P沟道型MOS管的栅极作为所述开关模块的第三端。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源输入接线端连接正电源时，所述电容控制模块包括第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻，其中：

所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端和所述第一三极管的发射极相连，作为所述电容控制模块的第一端；

所述第二三极管的发射极作为所述电容控制模块的第二端；

所述第一电阻的第二端和所述第二三极管的基极相连，作为所述电容控制模块的第三端；

所述第一三极管的集电极作为所述电容控制模块的第四端；

所述第二电阻的第二端、所述第二三极管的集电极和所述第一三极管的基极相连。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一三极管具体为NPN型三极管，所述第二三极管具体为PNP型三极管。

5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源输入接线端连接负电源时，所述开关模块具体为N沟道型MOS管，所述N沟道型MOS管的漏极作为所述开关模块的第一端，所述N沟道型MOS管的源极作为所述开关模块的第二端，所述N沟道型MOS管的栅极作为所述开关模块的第三端。

6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源输入接线端连接负电源时，所述电容控制模块包括第三三极管、第四三极管、第三电阻、第四电阻和第五电阻，其中：

所述第三电阻的第一端、所述第四三极管的发射极和所述第三三极管的发射极相连，作为所述电容控制模块的第一端；

所述第四电阻的第二端作为所述电容控制模块的第二端；

所述第五电阻的第一端作为所述电容控制模块的第三端；

所述第三三极管的集电极作为所述电容控制模块的第四端；

所述第五电阻的第二端、所述第三电阻的第二端和所述第四三极管的基极相连；

所述第四三极管的集电极、所述第四电阻的第一端和所述第三三极管的基极相连。

7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第三三极管具体为PNP型三极管，所述第四三极管具体为PNP型三极管。

8.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电容模块包括串联的第六电阻和电容。

9.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述限流模块具体为第七电阻。

10.一种接口电路，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的热插拔电路。

11.一种电子设备组件，其特征在于，包括权利要求10所述的接口电路。