[发明专利]用于制造半导体发光元件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体发光元件的方法，包括：

将堆叠主体接合到衬底主体，所述堆叠主体包括在结构体中，所述结构体还包括生长衬底，所述堆叠主体设置在所述生长衬底上，所述堆叠主体包括第一导电类型的第一氮化物半导体膜、设置在所述第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在所述发光膜上的第二导电类型的第二氮化物半导体膜，拉伸应力被施加到所述堆叠主体；

去除所述生长衬底；

通过去除所述堆叠主体的一部分将所述堆叠主体划分成多个区域而形成多个堆叠体，所述堆叠体包括由所述第一氮化物半导体膜形成的第一氮化物半导体层、由所述第二氮化物半导体膜形成的第二氮化物半导体层和由所述发光膜形成的发光层；

对于每个所述堆叠体，在所述第一氮化物半导体层的与所述发光层相对的侧上的表面中形成凹凸部；以及

对于每个所述堆叠体，通过划分所述衬底主体来形成多个所述半导体发光元件，每个所述半导体发光元件均包括所述堆叠体和由所划分的衬底主体形成的支撑衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过以下步骤形成所述结构体：

在所述生长衬底上形成所述第一氮化物半导体膜；

在所述第一氮化物半导体膜上形成所述发光膜；以及

在所述发光膜上形成所述第二氮化物半导体膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述形成所述结构体还包括：在所述生长衬底与所述第一氮化物半导体膜之间形成缓冲层，当去除所述生长衬底时，所述缓冲层用作停止物；并且

所述去除所述生长衬底还包括去除所述缓冲层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述形成所述第一氮化物半导体膜还包括：在所述缓冲层上形成第一层并且在所述第一层上形成第二层，所述第二层的杂质浓度高于所述第一层的杂质浓度；并且

所述去除所述生长衬底还包括去除所述第一层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生长衬底是Si衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一氮化物半导体层的与所述发光层相对的所述侧上的所述表面上形成第一电极，所述第一电极电连接至所述第一氮化物半导体层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述形成所述第一电极包括在所述第一氮化物半导体层的与所述发光层相对的所述侧上的所述表面中制作凹部，并且在所述凹部内形成所述第一电极。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述结构体的主表面接合到所述衬底主体之前，在所述第二氮化物半导体膜上形成蚀刻停止膜，

通过划分所述堆叠主体形成所述堆叠体包括：通过从所述第一氮化物半导体膜侧至所述蚀刻停止膜蚀刻所述堆叠主体来划分所述堆叠主体。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

通过在将所述结构体的所述主表面接合到所述衬底主体之前去除所述蚀刻停止膜的一部分来暴露出所述第二氮化物半导体膜的一部分；以及

在所述第二氮化物半导体膜的所述一部分上形成第二电极，所述第二电极电连接至所述第二氮化物半导体膜。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二电极沿所述堆叠主体的堆叠方向的厚度与所述蚀刻停止膜沿所述堆叠方向的厚度相同。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述蚀刻停止膜是选自Si、Al、Ti、Zr、In、Sn和Ni中的至少一种的氧化物膜，所述至少一种的氮化物膜，或者所述至少一种的氧氮化物膜。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述蚀刻停止膜是包括选自由Ni、Pt、W、Au、Ti和Al组成的组中的至少一种元素的金属。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述蚀刻所述堆叠主体是包括选自氯、氩、氟和硼中的一种元素的干法蚀刻。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述结构体接合到所述衬底主体包括：在所述堆叠主体上形成的第一接合膜，在所述衬底主体上形成第二接合膜，并且将所述第一接合膜接合到所述第二接合膜。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述生长衬底包括：对所述生长衬底进行抛光以使得所述生长衬底的厚度不小于5μm且不大于50μm。