[发明专利]侧向双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种侧向双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括第一导电类型的发射区，位于所述发射区侧面的本征基区，位于所述本征基区侧面的收集区，位于所述发射区上方的发射极介质层，位于所述发射极介质层上方的外基区，位于外基区上方的基区介质层，位于衬底上方的衬底介质层；所述衬底介质层环绕所述发射区并延伸进入发射区；所述本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方；所述收集区位于衬底介质层的上方。

2.根据权利要求1所述的侧向双极晶体管，其特征在于，所述本征基区的材料为硅、锗硅、锗硅碳或上述三者的组合物。

3.根据权利要求1所述的侧向双极晶体管，其特征在于，所述衬底介质层的材料为氧化硅。

4.一种侧向双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

4.1用第一导电类型杂质掺杂衬底，在衬底上依次形成重掺杂硅层、氧化硅介质层、掺杂多晶硅层和氮化硅层；

4.2光刻刻蚀去除部分氮化硅层、掺杂多晶硅层、氧化硅介质层和重掺杂硅层，形成发射区台面；保留的掺杂多晶硅层、氧化硅介质层和重掺杂硅层分别形成外基区、发射区介质层和发射区；

4.3在外基区、发射区介质层、发射区和保留的氮化硅层外侧形成第一氮化硅侧墙；然后以第一氮化硅侧墙为掩蔽在裸露的衬底上氧化形成第一衬底介质层；

4.4去除第一氮化硅侧墙和外基区上方的氮化硅层；图形外延生长第二掺杂类型的外延层，所述外延层在重掺杂硅层侧面形成单晶层、在氧化硅介质层侧面上形成多晶层、在第一衬底介质层上形成多晶层、在多晶外基区侧面和上面形成多晶层；

4.5在所述外延层的外侧形成第二氮化硅侧墙；

4.6将暴露在第二氮化硅侧墙之外的外延层氧化形成基区介质层和第二衬底介质层，被第二氮化硅侧墙覆盖的外延层形成本征基区；去除第二氮化硅侧墙；

4.7在所述本征基区外侧形成收集区；

4.8制备孔，引出金属电极线，形成基极、发射极和收集极，表面钝化。

5.根据权利要求4所述的侧向双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.1中掺杂多晶硅层中杂质的引入为注入或者原位掺杂。

6.根据权利要求4所述的侧向双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.4中生长外延层的方法为图形外延一层硅层、或锗硅层、或锗硅碳层、或上述三者的组合层。

7.根据权利要求4所述的侧向双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.6中形成基区介质层的工艺为氧化工艺或高压氧化工艺。

8.根据权利要求4所述的侧向双极晶体管的制备方法，其特征在于，步骤4.7中形成收集区的方法为：

选择性外延形成收集区；或，

图形外延后进行平坦化工艺，形成收集区。