[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件区，形成于该基底之中或设置于该基底之上；

一介电层，设置于该基底的该第一表面上；

至少一导电垫，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；

一平坦层，设置于该介电层之上，其中该平坦层的一上表面与该导电垫的一上表面之间的一垂直距离大于2微米；

一透明基板，设置于该基底的该第一表面上；

一第一间隔层，设置于该透明基板与该平坦层之间；以及

一第二间隔层，设置于该透明基板与该基底之间，且延伸进入该介电层的一开口而接触该导电垫，其中该第二间隔层与该导电垫之间大抵无间隙。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层直接接触该平坦层，且不接触该介电层或该基底。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层、该透明基板及该平坦层共同于该元件区上围绕一大抵密闭的空腔，且该第二间隔层围绕该第一间隔层。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一光学构件，该光学构件设置于该平坦层之上，且位于该空腔之中。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该光学构件包括滤光层、彩色滤光层、偏光层、透镜、遮光层、或前述的组合。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层的高度小于该第二间隔层的高度。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层直接接触该第二间隔层。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层不直接接触该第二间隔层。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层与该第二间隔层的材质相同。

10.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件区，形成于该基底之中或设置于该基底之上；

一介电层，设置于该基底的该第一表面上；

至少一导电垫，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；

一平坦层，设置于该介电层之上；

一透明基板，设置于该基底的该第一表面上；

一第一间隔层，设置于该透明基板与该平坦层之间；以及

一第二间隔层，设置于该透明基板与该基底之间，其中该第二间隔层包括一本体部及一延伸部，该延伸部覆盖于该本体部的表面且延伸至该介电层的一开口中而接触该导电垫。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体，其特征在于，该第二间隔层的该延伸部覆盖该本体部的一侧表面。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，该延伸部直接接触该透明基板。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体，其特征在于，该延伸部直接接触该第一间隔层。

14.根据权利要求10所述的晶片封装体，其特征在于，该第二间隔层的该本体部与该延伸部的材质相同。

15.根据权利要求10所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层与该第二间隔层的材质相同。

16.根据权利要求10所述的晶片封装体，其特征在于，该第一间隔层、该透明基板及该平坦层共同于该元件区上围绕一大抵密闭的空腔，且该第二间隔层围绕该第一间隔层。