[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，且特别是有关于以晶圆级封装制程所制得的晶片封装体。

背景技术

晶片封装制程是形成电子产品过程中的一重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

在现行晶圆级封装制程中，可能有接合度不佳及/或易受水气入侵的问题，其影响所封装的晶片的效能甚巨。此外，晶片封装体还容易因切割制程而损坏。

因此，业界亟需改进的晶片封装技术。

发明内容

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该基底之中或设置于该基底之上；一介电层，设置于该基底的该第一表面上；至少一导电垫，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一平坦层，设置于该介电层之上，其中该平坦层的一上表面与该导电垫的一上表面之间的一垂直距离大于约2微米；一透明基板，设置于该基底的该第一表面上；一第一间隔层，设置于该透明基板与该平坦层之间；以及一第二间隔层，设置于该透明基板与该基底之间，且延伸进入该介电层的一开口而接触该导电垫，其中该第二间隔层与该导电垫之间大抵无间隙。

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该基底之中或设置于该基底之上；一介电层，设置于该基底的该第一表面上；至少一导电垫，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一平坦层，设置于该介电层之上；一透明基板，设置于该基底的该第一表面上；一第一间隔层，设置于该透明基板与该平坦层之间；以及一第二间隔层，设置于该透明基板与该基底之间，其中该第二间隔层包括一本体部及一延伸部，该延伸部覆盖于该本体部的表面且延伸至该介电层的一开口中而接触该导电垫。

本发明一实施例提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，其中一元件区形成于该基底之中或设置于该基底之上，一介电层设置于该基底的该第一表面上，至少一导电垫设置于该介电层之中，且电性连接该元件区，及一平坦层设置于该介电层之上；提供一透明基板；于该透明基板的表面上形成一图案化间隔层，该图案化间隔层包括一第一间隔层及一第二间隔层，该第一间隔层于该透明基板上围绕一区域，且该第二间隔层围绕该第一间隔层；于该第二间隔层的一上表面设置一间隔层材料；以及将该基底设置于该透明基板上，其中该第一间隔层接合于该平坦层上，且该间隔层材料接合于该介电层，并填入该介电层的一开口中而接触该导电垫。

本发明使得透明基板稳固地接合于基底之上，且在后续切割制程不会损坏晶片封装体。

附图说明

图1显示本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图2A-图2F显示本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

附图中符号的简单说明如下：

100：基底；100a、100b：表面；102：元件区；104：介电层；106：导电垫；108、109：平坦层；110：滤光层；112：透镜；114：透明基板；116、116’、116”：间隔层；116a、116b、116c：间隔层材料；117：凹陷；202：遮罩；204：涂布制程；d：距离；SC：切割道。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定形式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间必然具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。