[发明专利]激光激发CVD镀膜设备

说明书

技术领域

本发明属于化学气相沉积（CVD）技术领域，尤其涉及一种激光激发CVD镀膜设备。

背景技术

化学气相沉积（英文：Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD制程是将晶圆（基底）暴露在一种或多种不同的前驱物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。

化学气相沉积技术已在镀膜领域广泛运用，现有技术中，工作气体的加热方式一般都是使用红外加热气体或加热待镀膜材料的方式促进气体的化学反应，使用红外加热气体的方式效率低，所镀出来的膜厚也不均匀，镀膜表面粗糙，而加热待镀膜材料的方式容易损坏材料。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种镀膜效率高、不易损坏待镀膜材料的激光激发CVD镀膜设备，该设备所镀的膜厚均匀、镀膜表面光滑。

本发明是这样实现的，一种激光激发CVD镀膜设备，包括壳体，该壳体具有密封的CVD腔体，所述CVD腔体内安装有用于喷出工作气体的喷气装置和用于将激光源聚焦于喷气装置喷嘴前端的激光聚焦装置，待镀膜材料位于所述喷气装置的喷嘴前端并与之相对。

进一步地，所述CVD腔体内安装有用于驱动所述喷气装置沿所述待镀膜材料表面平行移动的移动装置。

更进一步地，所述喷气装置包括具有所述喷嘴的喷气架，所述激光聚焦装置包括聚焦激光源的聚焦头及用于接驳光纤的光纤接驳管，所述聚焦头与所述光纤接驳管连接，所述喷气架设有引入工作气体的进气口及用于安装所述聚焦头的聚焦头安装孔。

具体地，所述喷嘴为细缝状，所述聚焦头安装孔均匀地并排设于所述喷嘴两侧。

优选地，所述喷气架设有用于固定所述光纤接驳管的固定槽。

特别地，所述移动装置包括具有螺纹的丝杆及驱动该丝杆转动的第一电机，所述喷气架开设有与所述丝杆的螺纹适配的螺孔，所述丝杆穿设于所述螺孔内。

进一步地，所述壳体开设有供所述待镀膜材料进入所述CVD腔体的进料口，所述壳体还开设有供所述待镀膜材料离开所述CVD腔体的出料口，所述进料口与所述出料口相对设置且均安装有密封装置。

更进一步地，所述密封装置包括弹性按压于所述待镀膜材料一面的第一滚筒及弹性按压于所述待镀膜材料另一面的第二滚筒。

具体地，所述密封装置还包括驱动所述第一滚筒或所述第二滚筒转动的第二电机。

优选地，所述CVD腔体内安装有水冷散热装置、用于检测待镀膜材料上镀膜厚度的膜厚监控装置、用于监控所述CVD腔体内部环境的视频监控装置、加热装置以及测温装置。

本发明镀膜时，激光聚焦装置将激光源聚焦于喷气装置喷嘴前端形成聚焦区域，喷嘴喷出的工作气体在聚焦区域被激光激发加热分解，被分解的工作气体由于惯性击打并粘附于待镀膜材料表面上形成镀膜。由于本发明采用激光聚焦的方式对工作气体进行加热激发，其镀膜效率高、不易损坏待镀膜材料、所镀的膜厚均匀、镀膜表面光滑。

附图说明

图1为本发明实施例中激光激发CVD镀膜设备的立体示意图；

图2为本发明实施例中激光激发CVD镀膜设备的内部示意图；

图3为图1中A-A的剖视图，即本发明实施例中激光激发CVD镀膜设备后视剖视图；

图4为本发明实施例中密封装置的结构示意图；

图5为本发明实施例中安装有激光聚焦装置的喷气装置立体示意图；

图6为本发明实施例中喷气装置的立体示意图；

图7为本发明实施例中喷气装置另一视角的立体示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。