[发明专利]可编程增益放大器有效

专利信息
申请号: 201210585598.6 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103107790B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 孙翔;董林妹;方泽姣 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H03G3/30 分类号: H03G3/30
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 可编程 增益 放大器
【权利要求书】:

1.一种可编程增益放大器,包括:

运算放大器,其包括两个输入端和至少一个输出端,至少一个所述输入端串接一电阻单元,所述运算放大器用于对所述增益放大器的输入信号进行放大并输出;

至少一第一CMOS开关阵列,其由多个相互并联连接的CMOS开关构成,所述第一CMOS开关阵列跨接于所述运算放大器的一所述输入端与一所述输出端之间;

数字控制模块,用于根据一数字控制信号来控制各所述CMOS开关的通断,以调节所述第一CMOS开关阵列的导通电阻值;

其中,所述运算放大器的输入端为一对差分输入端、输出端为一对差分输出端,每一所述差分输入端分别串接一所述电阻单元,每一所述差分输出端与其对应的所述差分输入端之间分别跨接一所述第一CMOS开关阵列;所述电阻单元为第二CMOS开关阵列,所述第二CMOS开关阵列由一个或多个相互并联连接的CMOS开关构成,所述数字控制模块还根据所述数字控制信号调节所述CMOS开关的控制端的电压,以调节所述第二CMOS开关阵列的导通电阻值,所述增益为所述第一CMOS开关阵列的导通电阻值与所述第二CMOS开关阵列的导通电阻值之比。

2.如权利要求1所述的可编程增益放大器,其特征在于,所述电阻单元还可以为一恒定电阻,所述增益为所述第一CMOS开关阵列的导通电阻值与所述恒定电阻的阻值之比。

3.如权利要求1或2所述的可编程增益放大器,其特征在于,所述运算放大器为带零点补偿的两级运算放大器,所述两级运算放大器包括第一级差分放大器、第二级差分放大器和一共模反馈电路,所述第一级差分放大器的差分输出端分别连接所述第二级差分放大器的差分输入端,所述第一级差分放大器与所述第二级差分放大器共用所述共模反馈电路,以确定所述两级运算放大器输出直流电平。

4.如权利要求3所述可编程增益放大器,其特征在于,所述第一级差分放大器包括第一、第二、第三PMOS管和第一、第二NMOS管,所述第一PMOS管源极接第一电压源、栅极接一偏置电压源,以形成所述第一级差分放大器的电流源,所述第二、第三PMOS管为一输入对管,其源极分别接该电流源,所述第一、第二NMOS管源极分别接地,其栅极的偏置电压分别由所述共模反馈电路提供,所述第二、第三PMOS管的栅极分别形成所述第一级差分放大器的差分输入端,所述第二、第三PMOS管的漏极分别与第一、第二NMOS管的漏极相连,以形成所述第一级差分放大器的差分输出端。

5.如权利要求4所述可编程增益放大器,其特征在于,所述第二级差分放大器包括第三、第四NMOS管和第四、第五PMOS管,所述第四、第五PMOS管源极分别接所述第一电压源、栅极分别接所述偏置电压源,所述第三、第四NMOS管的源极分别接地、栅极分别形成所述第二级差分放大器的差分输入端,所述第三、第四NMOS管的漏极分别与第四、第五PMOS管的漏极相连,以形成所述第二级差分放大器的差分输出端。

6.如权利要求5所述可编程增益放大器,其特征在于,在所述第一级差分放大器的每一差分输出端与对应的所述第二级差分放大器的差分输出端之间,分别跨接有一密勒电容与调零电阻的串联结构。

7.如权利要求5所述可编程增益放大器,其特征在于,所述共模反馈电路由第六、第七、第八PMOS管和第五、第六NMOS管以及一对阻值相等的电阻构成,所述第六PMOS管源极接所述第一电压源、栅极接所述偏置电压源,以形成所述共模反馈电路的电流源,所述第七PMOS管的栅极通过一所述电阻分别与所述第二级差分放大器的一差分输出端连接,所述第八PMOS管的栅极连接一参考电压源,所述第七、第八PMOS管源极分别接该电流源、漏极分别接所述第五、第六NMOS管的漏极,所述第五、第六NMOS管源极分别接地、栅极分别与各自的漏极相接,所述第五NMOS管的栅极还与所述第一、第二NMOS管的栅极分别相连。

8.如权利要求1至2中任一项、或4至7中任一项所述可编程增益放大器,其特征在于,所述可编程增益放大器用于无线通信系统的接收端。

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