[发明专利]多路静电释放保护器件的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件加工制造技术领域，具体涉及一种多路静电释放保护器件的加工方法。

背景技术

随着集成电路工艺的不断发展，晶体管尺寸已经缩减到亚微米甚至深亚微米阶段。器件物理尺寸的减小，大大提高了电路的集成度，但是高集成度器件的可靠性问题也随之而来。ESD（electro-static discharge，静电释放）就是引起电子设备与元器件失效的最主要原因之一。这主要是因为，随着元器件尺寸的缩小，例如场效应元件的栅极氧化层厚度逐渐变薄，这种变化虽然可以大幅度的提高电路的工作效率，但是却可能使电路变得更加脆弱，从而在受到静电冲击时，电路很容易失效。

为了解决由于ESD而造成的电子设备和元器件的可靠性问题，业内考虑在集成电路中引入具有较高性能、较高耐受力的ESD保护器件（也可称之为静电阻抗器）。ESD保护器件一般配置在电路的信号线路与接地端之间，电路正常工作状态下，ESD保护器件两端被中间的介质层隔开，呈现出高阻状态，信号不会通过ESD保护器件而流入接地端。当电路受到ESD影响时，例如人皮肤上的静电施加在电路上时，电路中可能出现一个很大的电压值，大电压的产生使得ESD保护器件两端出现大的电势差，此时ESD保护器件被击穿，由高阻状态转变为导通状态，这样就将静电导入到接地端，进而避免了工作电路因为电压过大造成的损坏。静电导出后ESD保护器件两端的电势差随之消失，ESD保护器件又回到高阻状态。

当前，高速信号传输的应用越来越多，ESD保护器件自身的寄生电容越大对高速信号传输所造成的信号失真、损耗影响也就越大。现有技术中的ESD保护器件是利用PN结的反向击穿原理来达到静电保护的目的，其采用的是半导体制作工艺，因此，此类ESD保护器件往往要用较高的制造成本才能达到超小寄生电容容值与漏电流电流值（例如，实现小于0.2pf的寄生电容容值和小于100nA的漏电流流值）。此外，通过此类ESD保护器件的电流过大时，可能会造成ESD器件炸裂而形成开路现象。

发明内容

本发明实施例提供一种多路ESD保护器件的加工方法，以期降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。

本发明提供一种多路静电释放保护器件的加工方法，可包括：

在第一基材上加工出N个通孔，其中，所述N大于2的偶数，所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层；

通过电镀和/或化学镀在所述N个通孔内填充导电物质；

在所述第二导电层上进行图形加工，以将所述第二导电层分割为互不导通的N个导电区域；

在所述第一导电层上进行图形加工和/或在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽，以将所述第一导电层分割为互不导通的N个导电区域，其中，所述第一导电层的N个导电区域中的每个导电区域，分别通过所述N个通孔中的不同通孔内的导电物质，与所述第二导电层的N个导电区域中的不同导电区域导通；

在所述第一导电层上设置第一树脂层；

在所述第一树脂层上设置保护层；

在所述保护层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的N/2个盲孔；

在所述N/2个盲孔内填充浆料，其中，所述第一导电层的N个导电区域包括N/2第二类导电区域和N/2个第一类导电区域，所述N/2个第一类导电区域中的每个第一类导电区域，分别通过所述N/2个盲孔中的不同盲孔内的浆料与所述N/2第二类导电区域中的不同第二类导电区域相接，其中，所述浆料含有导电粒子和非导电粒子；

将所述保护层从所述第一树脂层上剥离；

在所述第一树脂层上设置保护上体。

可选的，所述在第一基材上加工出N个通孔，包括：通过机械钻孔或激光钻孔方式在所述第一基材加工出N个通孔。

可选的，所述在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽包括：通过机械铣槽或激光铣槽方式在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽。

可选的，所述盲槽宽度小于或或者等于50微米。

可选的，所述第一基材为铜箔基板CCL。

可选的，所述N/2个盲孔在所述第一基材的板面方向的部分或者全部投影，落入所述盲槽在所述第一基材的板面方向的投影之中。

可选的，所述保护上体包括：第二基材和设置于所述第二基材上的粘合层；

所述在所述第一树脂层上设置保护上体包括：通过所述粘合层将所述保护上体粘接到所述第一树脂层上。