[发明专利]一种双极电路的制造方法

权利要求书

1.一种双极电路的制造方法，包括：

在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，所述半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；

将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上，以所述掩膜版为掩模进行刻蚀工艺，在所述深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离上的第一介质层中形成接触孔，并同时在所述第二类掺杂区上的第一介质层中形成所需的电容窗口；

生长二氧化硅层，去净选取的部分所述电容窗口中的二氧化硅层后，淀积氮化硅层，采用干法刻蚀去除部分所述氮化硅层，以保留所需的电容窗口内的氮化硅层，形成不同电容。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一类掺杂区内对准一所述接触孔的部位形成发射区。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述发射区包孔为所述发射区与其对准的接触孔孔底边缘的横向间距，所述发射区包孔的特征尺寸为0.3um～0.5um。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离的步骤如下：

提供一衬底；

在所述衬底上形成多个的埋层以及下隔离；

通过外延工艺生长外延层，所述外延层覆盖住衬底、埋层以及下隔离；

在所述外延层中形成与所述下隔离相连接的上隔离、分别位于不同埋层上的第一类掺杂区和第二类掺杂区、以及与第一类掺杂区下方对应的埋层相连接的深磷。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述衬底采用的是硅材料。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述不同电容的结构为具有不同的电容介质、电容介质厚度及电容介质面积。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述电容介质为所述氮化硅层，或所述电容介质为二氧化硅层和氮化硅层组合的复合介质。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述电容介质系数的大小通过调整复合介质中的各层的厚度实现。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除部分所述氮化硅层后，所述接触孔内的二氧化硅层的厚度为

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括采用两步溅射法在所述接触孔和电容窗口内的氮化硅上形成金属层后，再完成钝化工艺。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述两步溅射法的步骤如下：

先溅射下层金属，下层金属的成分为铝硅合金；

再溅射顶层金属，顶层金属的成分为铝硅铜合金。

13.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，从所述金属层上分别引出晶体管或电容的各电极。