[实用新型]一种新型薄膜太阳能电池光伏焊带装置有效
申请号: | 201220139924.6 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN202503013U | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 魏磊;魏光炎 | 申请(专利权)人: | 深圳市华光达科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;B32B15/01 |
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地址: | 518101 广东省深圳市深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 薄膜 太阳能电池 光伏焊带 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池用的焊接装置,更确切地说是涉及一种新型薄膜太阳能电池光伏焊带装置方面的发明。
背景技术
太阳能电池光伏焊带装置是用在光伏组件上的焊接装置,主要起到连接导电的作用。焊带装置的关键技术参数包括可焊性、抗拉强度、延伸率、电阻率。目前常用的焊带装置是在一种高延伸率、高拉伸强度、高导电的铜带表面,通过热涂锡的方法制备而成,焊带装置的厚度达到0.8毫米,不利于卷曲折叠。便携式光伏电池是光伏产品的一大发展趋势,这就要求光伏产品越来越薄,甚至变得可以卷曲折叠,这样也要求光伏产品的核心配套装置也相应地变薄,同时焊带装置过厚也容易导致层压工艺出现问题,由此,现有光伏焊带装置已不能满足光伏产品的发展需求。
由此可见,上述现有的光伏焊带装置仍存在有诸多的缺陷,而亟待加以改进。
有鉴于上述现有的光伏焊带装置存在的缺陷,本设计人基于从事此类产品设计制造多年,积有丰富的实务经验及专业知识,积极加以研究创新,以期创设一种改进成型结构的新型薄膜太阳能电池光伏焊带装置,能够改进一般市面上现有常规的光伏焊带装置成型结构,使其更具有竞争性。经过不断的研究、设计,并经反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于,克服现有太阳能电池光伏焊带装置厚度不能匹配满足太阳能电池减薄存在的缺陷,而提供一种新型结构的新型薄膜太阳能电池光伏焊带装置,使其光伏焊带的厚度减薄。
本实用新型解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的新型薄膜太阳能电池光伏焊带装置,包括有纵向延伸的带体,带体包括铜带,在铜带外面设有涂锡层,带体的厚度为60微米到130微米,宽度为1.5毫米到8毫米。
本实用新型解决其技术问题还可以采用以下技术措施来进一步实现。
前所述的铜带的横截面呈矩形。
前所述的铜带的厚度为50微米到100微米。
前所述的涂锡层的厚度为5微米到15微米。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知,本实用新型由于采用上述技术方案,使带体的厚度降至60微米到130微米,减薄了光伏焊带厚度,与此同时,焊带的可焊性能好、抗拉强度高,延伸率和电阻率均能充分满足工程应用需要。
综上所述,本实用新型在空间型态上确属创新,并较现有产品具有增进的多项功效,且结构简单,适于实用,具有产业的广泛利用价值。其在技术发展空间有限的领域中,不论在结构上或功能上皆有较大的改进,且在技术上有较大的进步,并产生了好用及实用的效果,而确实具有增进的功效,从而更加适于实用,诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅为本实用新型技术方案特征部份的概述,为使专业技术人员能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1是本实用新型的横截面结构示意图。
图中,带体1、铜带11、涂锡层12。
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
请参阅图1所示,本实用新型的新型薄膜太阳能电池光伏焊带装置, 包括有纵向延伸的带体1,所述带体1包括铜带11,在铜带外11面设有涂锡层12,带体1的厚度为60微米到130微米,带体1的宽度为1.5毫米到8毫米。铜带11的厚度为50微米到100微米,铜带11的横截面呈矩形,涂锡层12的厚度为5微米到15微米。
铜带采用厚度为14毫米到200毫米的含铜量在99.9%以上铜带,采用多次的压延和退火处理,得到的铜带厚度为50微米到100微米,铜带和涂锡层结合紧密、铜带的电阻率能够充分满足工程应用需要。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的