[实用新型]一种空间用三结砷化镓太阳电池的下电极去底腐蚀系统有效
申请号: | 201220140938.X | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN202585502U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 肖志斌 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 王来佳 |
地址: | 300381 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空间 用三结砷化镓 太阳电池 电极 腐蚀 系统 | ||
1.一种空间用三结砷化镓太阳电池的下电极去底腐蚀系统,包括旋转涂光刻胶机、干燥机、腐蚀装置、溶剂清洗装置、碱性箱、清洁箱、甩干器,其特征在于:旋转涂光刻胶机、干燥机、腐蚀装置、溶剂清洗装置、碱性箱、清洁箱及甩干器依次相连,所述腐蚀装置包括主腐蚀箱及其洗涤箱、腐蚀箱及其洗涤箱,溶剂清洗装置包括连续二级的丙酮清洗箱以及连续的无水乙醇清洗箱,碱性箱为氢氧化钠清洗箱,清洁箱为去离子水清洁箱。
2.根据权利要求1所述的空间用三结砷化镓太阳电池的下电极去底腐蚀系统,其特征在于:所述甩干器采用氮气吹干方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的