[实用新型]一种红外LED灯

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED领域，尤其涉及一种红外LED灯。

背景技术

随着半导体电子技术的发展，LED已经得到了越来越广泛的应用。现今的LED不仅被应用于常规的照明领域，一些特殊的LED还被应用在一些特殊的领域，例如可以对外辐射红外线的红外LED灯无疑是其中的重要一员。

对于现有技术中的高功率红外LED灯，为保证使用效果，一般设计时要求红外LED灯的辐射功率至少达到350mW以上。而为了达到该辐射功率要求，目前一般是采用尺寸大小在42mil左右的芯片，在1A左右的电流下工作。而目前这种红外LED灯的实现方式，不仅红外LED灯得体积较大，而且因为工作电流大，使得红外LED灯的发热量大，进而导致红外LED灯的使用寿命缩短。

进一步的，由于红外LED灯自身的半导体特性，在其温度升高时，内阻降低，即发生“负电阻”现象，这使得流经红外LED灯的电流增大，发热量增加。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于：提供一种红外LED灯，在保证350mW以上辐射功率的前提下，将芯片的尺寸减小到14mil~32mil，工作电流降低到350mA~800mA，从而减小芯片的尺寸，降低芯片的发热量。同时使该红外LED灯在较低的功率下，达到设计要求的辐射功率。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的一种红外LED灯，包括：用于向外辐射红外线的芯片1，用于散热的底板2，用于保护所述芯片1的罩杯3，用于外接电源线的正极接线柱41、负极接线柱42，以及用于固定上述部件的封装件5；

所述芯片1的大小为14mil~32mil，在工作状态下所述芯片1向外辐射红外线的辐射功率不低于350mW。

其中，所述底板2和正极接线柱41、负极接线柱42皆由所述封装件5固定，所述底板2的一个端面固定有所述芯片1，另一端面裸露在所述封装件5的外表面。

其中，所述罩杯3为透明的半球状，扣设在所述封装件5上，芯片1位于所述底板2、装件5和罩杯3所围成的封闭空间内。

其中，所述芯片1包括：芯片本体10，以及正极金线11、负极金线12；所述芯片本体10的正极与所述底板2连接，所述正极金线11由所述底板2引出至所述正极接线柱41；所述负极金线12由所述芯片本体10的负极引出至所述负极接线柱42。

其中，所述芯片1的工作电流为350mA~800mA。

其中，所述红外LED灯的一次光光学角度为20度～120度。

其中，所述红外LED灯向外辐射的红外线波长为700nm~1100nm。

其中，所述芯片1的大小为28mil。

本实用新型所提供的红外LED灯，在保证350mW以上辐射功率的前提下，将芯片的尺寸减小到14mil~32mil，工作电流降低到350mA~800mA，从而减小了芯片的尺寸，降低芯片的发热量。同时使该红外LED灯在较低的功率下，达到设计要求的辐射功率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型第一实施例提供的红外LED灯结构示意图；

图2为本实用新型第二实施例提供的红外LED灯结构示意图；

图3为本实用新型第二实施例提供的另一红外LED灯结构示意图；

图4为本实用新型提供的红外LED灯底座采用负极方式时的辐射图；

图5为本实用新型提供的红外LED灯底座采用正极方式时的辐射图。

具体实施方式

参见图1，为本实用新型提供的红外LED灯第一实施例结构示意图，如图所示，该红外LED灯包括：芯片1、底板2、罩杯3、正极接线柱41、负极接线柱42和封装件5。

芯片1安装在底板2上，其大小为14mil~32mil，用于向外辐射红外线，且辐射功率不低于350mW。所述底板2和正极接线柱41、负极接线柱42皆由所述封装件5固定。正极接线柱41、负极接线柱42用于外接电源线。底板2的一个端面用于固定所述芯片1，另一端面裸露在所述封装件5的外表面，用于散热。所述罩杯3为透明的半球状，扣设在所述封装件5上，用于保护所述芯片1，即芯片1位于所述底板2、装件5和罩杯3所围成的封闭空间内。