[实用新型]晶体硅太阳能电池扩散石英舟

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池生产加工领域，具体是一种晶体硅太阳能电池扩散石英舟。

背景技术

在晶体硅太阳能电池生产工艺中，目前所普遍采用的是POCL3液态源扩散制作PN结，在扩散过程中，硅片被放进一个石英舟中从炉口送入炉管，然后关闭炉门。工艺气体从炉尾进入炉管参与反应，残余气体通过一根从炉尾伸入到炉口的尾气管抽出。利用该方法进行扩散，工艺简单，成本较低，因而成为目前晶体硅太阳能电池生产制作PN结的主要方法。       

由于石英舟两端（舟头和舟尾部分）的硅片所处气流环境与石英舟中间部位硅片不一致，炉尾部分硅片接触气流较多，扩散后方阻较低，炉口部分硅片接触气流较为稀薄，再加上尾气管抽气口位于炉口附近，使得扩散后该处的方阻较高。通常情况下，正常扩散后炉尾的方阻要比中间区域的低3-5ohm，而炉口区域的方阻要比中间区域的高5-20ohm。这样在石英舟两端就会产生许多方阻超标的硅片，不利于工艺的稳定。

为了改善石英舟两端硅片的方阻情况，目前所普遍采用的方式是在石英舟两端放置挡片。具体方法是选取一定数量的完整硅片放置于石英舟的两端占据一定数量的位置，利用剩下的位置来进行正常生产片的扩散，这样处于靠近舟头和舟尾位置的硅片所处的气流环境就与处于石英舟中部的硅片一致，从而起到改善石英舟两端硅片扩散方阻的作用。挡片可以重复使用，但需要定期进行清洗，只有在其破损后才进行更换。由于是采用完整的硅片制作挡片，成本较高。通常用于太阳能电池生产的硅片厚度都比较小，一般在200μm左右，经多次扩散和清洗后很容易破碎。同时由于石英舟上的卡槽宽度采用的是同一规格，宽度较窄，无法放置厚度较大的硅片。

实用新型内容

本实用新型提供了一种晶体硅太阳能电池扩散石英舟，解决了以往的石英舟无法放置较厚的挡片，且挡片不易清洗和维护，容易导致挡片破损，进而增加清洗和维护成本的问题。

本实用新型为解决技术问题主要通过以下技术方案实现：晶体硅太阳能电池扩散石英舟，包括舟体，所述舟体的上部固定有两根相互平行的上横梁，舟体的下部固定有两根相互平行的下横梁，两根上横梁之间的距离大于两根下横梁之间的距离，所述上横梁上设有上挡片卡槽和上硅片卡槽，所述下横梁上设有下挡片卡槽和下硅片卡槽。

所述上横梁与下横梁相互平行。

所述上挡片卡槽、上硅片卡槽及下挡片卡槽的截面形状均为倒角的方形。

所述上挡片卡槽和下挡片卡槽的宽度为上硅片卡槽的宽度的1.5~3倍。

所述下硅片卡槽的截面形状为倒角的梯形。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点和有益效果：

（1）本实用新型在上横梁和下横梁上设置了专门的挡片卡槽，而且挡片卡槽的宽度大于硅片卡槽的宽度，这样就可选用厚度较大的材料，如石英玻璃片，来作为挡片使用，避免了选用硅片作为挡片，从而降低了成本，更增大了挡片的强度。

（2）本实用新型设置了专门的挡片卡槽，方便了挡片的安装和拆卸，进而方便了挡片的清洗和维护，降低了清洗成本，同时也减少了清洗时对挡片造成的破损。

附图说明

图1为本实用新型的主视图；

图2为本实用新型的俯视图；

图3为本实用新型的侧视图；

图4为本实用新型的上横梁的结构示意图；

图5为本实用新型的下横梁的结构示意图。

附图中所对应的附图标记为：1、舟体，2、上横梁，3、下横梁，4、上挡片卡槽，5、上硅片卡槽，6、下挡片卡槽，7、下硅片卡槽。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例：

如图1~图5所示，本实用新型晶体硅太阳能电池扩散石英舟，包括舟体1，舟体1的上部固定有两根相互平行的上横梁2，舟体1的下部固定有两根相互平行的下横梁3，上横梁2与下横梁3相互平行，两根上横梁2之间的距离大于两根下横梁3之间的距离。

本实施例的上横梁2上设有上挡片卡槽4和上硅片卡槽5，上挡片卡槽4和上硅片卡槽5的截面形状均为倒角的方形，上挡片卡槽4的宽度为上硅片卡槽5的宽度的1.5~3倍。

本实施例的下横梁3上设有下挡片卡槽6和下硅片卡槽7，下挡片卡槽6的截面形状均为倒角的方形，下硅片卡槽7的截面形状为倒角的梯形。

本实用新型的工作原理为：将石英玻璃片作为挡片安放于上挡片卡槽4和下挡片卡槽6上，然后将硅片安放于上硅片卡槽5和下硅片卡槽7上，工艺气体进入炉内与硅片反应，最终得到符合方阻标准的硅片。

如上所述，则能很好地实现本实用新型。