[实用新型]一种高亮度白光LED照明灯具有效
申请号: | 201220378618.8 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN202674984U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 范国峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市科润光电有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V7/00;F21Y101/02 |
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地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 亮度 白光 led 照明 灯具 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED照明灯具,具体涉及的是一种高亮度白光LED照明灯具,主要为LED射灯。
背景技术
发光二极管(LED)是近年来提高照明效率、降低照明能耗技术发展的新方向,尤其是提高LED光源的输出亮度和功率是目前照明技术发展的重点,而由于LED工作电压低、耗电量小、稳定性好、重量轻、光强高、视感好等优点得到广泛的应用。
目前LED的功率较低,亮度也对应偏低,严重制约了LED的应用范围,为了使LED能够在日常照明中能够得到广泛应用,通常需要将多个LED组合在一起使用,以提高LED的功率,增加照明的亮度,但是由于LED发光时,光在LED内部的提取效率很低,LED从电转化到光的很大一部分光不能得到充分利用,通常情况下,单面LED的光提取率仅为4%,因此如何提高LED的光提取率,实现提高白光LED的照明亮度是目前所需要克服的难点。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高亮度白光LED照明灯具,以解决目前单面LED照明时光提取率低,照明亮度不高的问题。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的。
一种高亮度白光LED照明灯具,包括灯头(1)和灯体(7),所述灯头(1)和灯体(7)之间安装有基板(2),所述基板(2)上设置有一透明基底(4),该透明基底(4)上设置有一LED芯片(5),所述LED芯片(5)通过金线(9)与设置在基板(2)上的电极(8)连接,且通过荧光胶封装体(6)封装在基板(2)上。
其中所述基板(2)上还设置有一反射层(3),该反射层(3)位于透明基底(4)的正下方。
其中所述透明基底(4)为倒锥台形。
本实用新型与现有技术相比,有益效果在于:本实用新型提供的高亮度白光LED照明灯具,在LED芯片底部设置有一个透明基底,在透明基底底部设置有一个反射层,通过透明基底对LED芯片底部发处的光进行吸收,并通过反射层进行反射,将垂直射向透明基底的光反射回发光区,从而使光提取效率由4%提升到25-30%,进而提高了白光LED灯具的照明亮度。
附图说明
图1为本实用新型高亮度白光LED照明灯具的结构示意图。
图中标识说明:灯头1、基板2、反射层3、透明基底4、LED芯片5、荧光胶封装体6、灯体7、电极8、金线9。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图1所示,图1为本实用新型高亮度白光LED照明灯具的结构示意图。本实用新型提供的是一种高亮度白光LED照明灯具,其主要将单面LED的光提取率提高,使LED照明灯具发出的光能够得到充分利用,尤其是在相同功率LED灯情况下,提高LED灯的亮度,以解决目前单面LED照明时光提取率低,照明亮度不高的问题。
本实用新型所述的高亮度白光LED照明灯具,包括有灯头1和灯体7,所述灯头1和灯体7之间安装有基板2,所述基板2上设置有一个荧光胶封装体6,该荧光胶封装体6中封装有一个LED芯片5,所述的LED芯片5是由AlGaInP材料和InGaN材料制成的红、蓝、绿超高亮度LED芯片组合在一起形成。
基板2上设置有一个反射层3,通过该反射层3可将直射向衬底的光反射回发光区或窗口,能够有效改善器件的出光特性;在反射层3上还设置有一个倒锥台形的透明基底4,该透明基底4上设置有一个LED芯片5,所述LED芯片5通过金线9与设置在基板2上的电极8连接,且通过荧光胶封装体6封装在基板2上。通过透明基底对LED芯片底部发处的光进行吸收,并通过反射层进行反射,将垂直射向透明基底的光反射回发光区,从而使光提取效率由4%提升到25-30%,进而提高了白光LED灯具的照明亮度。
本实用新型所述的高亮度白光LED照明灯具,通过将AlGaInP材料和InGaN材料制造的红、蓝、绿超高亮度LED芯片组合在一起,使其发光效率超过白炽灯,并与荧光灯接近,发光亮度高于1000mcd,可满足室外全天候、全色显示的需要。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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