[实用新型]氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池

权利要求书

1.一种氮化硅膜，包括依次设置在硅片（10）上的钝化层（21）和减反射膜层（22），所述氮化硅膜（20）的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，其特征在于，所述减反射膜层（22）包括第一减反射膜层（221）和设置在所述第一减反射膜层（221）上的第二减反射膜层（222）。

2.根据权利要求1所述的氮化硅膜，其特征在于，所述氮化硅膜（20）的折射率沿着远离所述硅片（10）的方向依次递减。

3.根据权利要求2所述的氮化硅膜，其特征在于，

所述第一减反射膜层（221）的厚度为20～30nm；

所述第二减反射膜层（222）的厚度为40～60nm；

所述第二减反射膜层（222）的折射率比所述第一减反射膜层（221）的折射率小0.5。

4.根据权利要求3所述的氮化硅膜，其特征在于，所述第一减反射膜层（221）的厚度为30nm，所述第二减反射膜层（222）的厚度为40nm。

5.根据权利要求4所述的氮化硅膜，其特征在于，所述第一减反射膜层（221）的折射率为2.10～2.15；所述第二减反射膜层（222）的折射率为2.05～2.10。

6.一种太阳能电池用硅片，其特征在于，所述硅片上设置有权利要求1至5中任一项所述的氮化硅膜。

7一种太阳能电池，包括硅片，其特征在于，所述硅片为权利要求6中所述的太阳能电池用硅片。