[实用新型]制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉有效

专利信息
申请号: 201220429023.0 申请日: 2012-08-27
公开(公告)号: CN202786420U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 何军舫;王军勇 申请(专利权)人: 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/34;C01B21/064
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋;刘铁生
地址: 101101 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 制备 氮化 制品 多方位 进气口 沉积
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及制备热解氮化硼制品的设备的技术领域,具体地说是一种制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉。

背景技术

热解氮化硼(简称PBN)具有纯度高、无毒、耐高温、耐酸碱、耐盐及耐有机溶剂、性质稳定;在高温下与绝大多数熔融金属、半导体材料不润湿、不反应;电绝缘性能好和高温下无杂质挥发;抗热震性优异、热导性好和热膨胀系数低;电阻高、介电强度高、介电常数小、磁损耗正切低并且具有良好的透微波和红外线性能等等诸多优点。被广泛用作半导体单晶及Ⅲ-V族化合物合成用的坩埚、基座;原位合成砷化镓、磷化铟、磷化镓等单晶的液封直拉法系列坩埚;分子束外延(MBE)用的系列坩埚;垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布氏(VB)法系列坩埚;热解氮化硼/热解石墨(PBN/PG)复合加热器涂层;高温绝缘流体喷嘴;石墨加热器绝缘涂层;金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统绝缘板;异形坩埚及异形石墨件涂层;晶片退火工艺用复合加热器等等。

气相沉积炉是制备热解氮化硼制品的核心设备。制备高质量的热解氮化硼制品的关键在于高温反应后生成的热解氮化硼均匀地沉积在模具表面,从而得到质地均匀的热解氮化硼制品。现有的气相沉积炉的进气口设置于沉积腔的底部,且进气口为环套形进气口,即两种原料气体分别从进气口的内环和外环进入。这样的设置使原料气体已进入沉积腔即混合发生反应,这就导致模具表面与进气口的距离相差较大时,反应生成的热解氮化硼不能均匀地沉积在模具表面。靠近进气口的位置的沉积厚度会大于远离进气口的位置。这将严重影响产品的质量及合格率。

有鉴于上述现有的气相沉积炉存在的诸多问题,本实用新型的设计人依靠多年的工作经验和丰富的专业知识积极加以研究和创新,最终研发出一种制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉,可有效提高产品的质量及合格率。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供了一种制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉,所得产品质地均匀,可有效提高产品的质量及合格率。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用了如下技术方案:

制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉,由炉体和炉盖构成,其中炉体底部和炉体侧壁分别设有进气口,所述进气口为由不同原料气体进入的气管内外同心环套而成的套管进气口。

进一步,所述炉体侧壁的进气口的个数为多个。

进一步,所述套管进气口由2-3个气管环套而成,内部的气管的端面和与其相邻的外部的气管的端面不在同一平面,端面之间的垂直距离不大于50mm。

进一步,所述炉体由内至外依次为具有沉积腔的石墨筒、加热器、保温隔热层和具有夹层的外壳,石墨筒上设有石墨盖。

进一步,所述保温隔热层为碳纤维或陶瓷材料制成。

进一步,所述炉盖由外层的钢质壳体和内层的保温隔热层构成。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:

本实用新型的制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉通过在炉体的底部和侧壁分别设置进气口。这样原料气体从炉体多方位进入,使反应气体均匀地分布在沉积腔内进行反应。从而使生成的热解氮化硼均匀的分布在模具表面。所得产品的质地更加均匀。提高了产品的合格率和质量。

附图说明

图1为本实用新型的制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述,但不作为对本实用新型的限定。

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