[实用新型]变频器的IGBT退饱保护电路

权利要求书

1.一种变频器的IGBT退饱保护电路，包括主电路拓扑结构，还包括连接主电路拓扑结构的逆变桥IGBT、逆变桥IGBT驱动信号功率隔离及放大电路、逆变桥IGBT驱动信号封锁电路，其特征在于，还包括如下模块：

-过流保护IGBT，所述过流保护IGBT串接在主电路拓扑结构的母线上；

-过流管驱动及保护电路，所述过流管驱动及保护电路连接所述过流保护IGBT的栅极，主电路拓扑结构的CPU模块连接所述过流管驱动及保护电路；

-过流管Uce检测及比较电路，所述过流管Uce检测及比较电路连接在所述过流保护IGBT的集电极和发射极之间，主电路拓扑结构的CPU模块连接所述过流管Uce检测及比较电路；

-过流管退饱和检测电路，所述过流管退饱和检测电路连接至所述过流保护IGBT的集电极，所述过流管驱动及保护电路连接所述过流管退饱和检测电路。

2.根据权利要求1所述的变频器的IGBT退饱保护电路，其特征在于，所述过流管驱动及保护电路和过流管Uce检测及比较电路主要由A316J芯片构成，所述A316J芯片的引脚具体为：

-1引脚和2引脚连接所述CPU模块的过流管控制信号输出端口；

-11引脚作为A316J芯片的控制信号输入端串过第一栅极电阻Rg1后连至过流保护IGBT的栅极；

-6引脚作为故障输出端连接至所述CPU模块的故障I/O引脚；

-5引脚为故障复位端连接至所述CPU模块；

-14引脚连接至所述过流管退饱和检测电路。

3.根据权利要求1所述的变频器的IGBT退饱保护电路，其特征在于，所述过流管退饱和检测电路包括第一电阻R3、快速二极管D7、以及第一电容C3，其中，所述第一电容C3、第一电阻R3、快速二极管D7、过流保护IGBT依次连接。

4.根据权利要求1所述的变频器的IGBT退饱保护电路，其特征在于，所述逆变桥IGBT驱动信号功率隔离及放大电路主要由A3120芯片构成，所述A3120芯片的2引脚和3引脚作为驱动信号输入端，所述A3120芯片的5引脚和6引脚作为输出端串过第二栅极电阻Rg2连接至逆变桥IGBT的栅极。