[实用新型]TSC装置中的可控硅RC保护回路有效
| 申请号： | 201220664655.5 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN202997580U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金晓;陈瑜;姜慧慧 | 申请（专利权）人： | 浙江瑞泰电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18;H02H9/04 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 323000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tsc 装置 中的 可控硅 rc 保护 回路 | ||
【权利要求书】：
1. 一种TSC装置中的可控硅RC保护回路，其特征在于TSC装置包括三个串联电路，每个串联电路由电容（1）、电抗器（2）、熔断器（3）、电流互感器（4）和晶闸管模块（5）相串联而成，三个串联电路的第一端（6）分别和A相母线、B相母线、C相母线相连，三个串联电路的第二端（7）分别和连于相邻相母线上的串联电路的第一端（6）相连，所述的电抗器（2）上并联有RC保护电路（8），RC保护电路（8）为电阻R和电容C的串联电路。
2.根据权利要求1所述的TSC装置中的可控硅RC保护回路，其特征在于所述的电阻R为水泥电阻。
3.根据权利要求1或2所述的TSC装置中的可控硅RC保护回路，其特征在于所述的电容C为无极性电容。
4.根据权利要求1或2所述的TSC装置中的可控硅RC保护回路，其特征在于所述的晶闸管模块（5）为可控硅SCR和二极管D的并联电路，且二极管D的正极和可控硅SCR的阴极相连，二极管D的负极和可控硅SCR的阳极相连。
5.根据权利要求3所述的TSC装置中的可控硅RC保护回路，其特征在于所述的晶闸管模块（5）为可控硅SCR和二极管D的并联电路，且二极管D的正极和可控硅SCR的阴极相连，二极管D的负极和可控硅SCR的阳极相连。
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