[实用新型]上行基带处理器和上行信号处理系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域，尤其涉及一种上行基带处理器和上行信号处理系统。

背景技术

移动通信基站基本上可以分成三部分：移动台、无线接入网以及核心网。其中，无线接入网包括无线网络控制器和基站（NodeB）。基站信号通过天馈系统将信号辐射出去，覆盖目标区域。但基站覆盖方式难免有覆盖的弱区、盲区，这对于服务质量要求日益提高的移动通信基站是一个普遍的难题。长期演进（Long Term Evolution，LTE）LTE干线放大器引入基站信号，将其放大，覆盖目标区域，从而可扩大LTE基站覆盖范围，消除覆盖盲区，解决室内或特殊场景的覆盖问题，这在LTE系统中普遍使用2GHz以上的较高频段显得尤其重要。

为此，在3GPP协议LTE Rel-8版本中引入了一种新的延伸覆盖技术，称为中继（Relay）技术，其设备称为中继节点Relay Node（RN）。3GPP协议LTE Rel-8版本定义的Relay技术分为三种，分别是层1Relay（L1Relay）、层2Relay（L2Relay）和层3Relay（L3Relay）。

其中，层1Relay设备也称为模拟设备，上述LTE干线放大器即属于该模拟设备，但现有的LTE干线放大器直接对接收的射频信号（包括有用信号和噪声）进行放大，虽然具有设备简单、成本低和引入的时延小的优点，但由于同时对有用信号和干扰进行放大和转发，放大有用信号的同时，也放大了噪声，因此，存在抬升基站的底噪，严重影响上行覆盖和上行吞吐率的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种上行基带处理器和上行信号处理系统，用以解决现有技术中存在的LTE干线放大器在放大信号的同时抬升基站底噪的问题。

一种上行基带处理器，该上行基带处理器应用于LTE室内有源分布系统中，包括模数A/D转换器、数字下变频DDC器、载噪比Ec/Io判决电路、数字上变频DUC器和数模D/A转换器，其中：

A/D转换器，用于对由上行LTE射频信号进行下变频得到的模拟中频信号进行模数A/D转换，将得到的多路数字子频带中频信号输出至DDC器；

DDC器，用于分别对各路数字子频带中频信号进行数字下变频处理，将得到的多路数字子频带基带信号输出至Ec/Io判决电路；

Ec/Io判决电路，用于确定每一路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号输出至DUC器；

DUC器，用于对接收到的数字子频带基带信号进行数字上变频处理，得到相应的数字子频带中频信号输出至D/A转换器；

D/A转换器，用于对各路数字子频带中频信号进行数模转换，并将得到模拟中频信号输出至模拟上变频器。

一种上行信号处理系统，应用于LTE室内有源分布系统中，包括：上行低噪声放大器、模拟下变频器、上行基带处理器和模拟上变频器；

所述上行低噪声放大器，用于对接收的上行射频信号的信号幅度进行放大，并将放大后的上行射频信号输出至模拟下变频器；

所述模拟下变频器，用于对上行低噪声放大器输出的上行射频信号进行下变频，并将得到的模拟中频信号输出至上行基带处理器；

所述上行基带处理器，用于将模拟下变频器输出的模拟中频信号转变为多路数字子频带基带信号，确定各路数字子频带基带信号的载噪比，并将确定的每一路数字子频带基带信号的载噪比与设定的载噪比门限值进行比较，当比较结果为确定的载噪比小于设定的载噪比门限值时，关断该载噪比小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号的发送时隙；当比较结果为确定的载噪比不小于设定的载噪比门限值时，将该载噪比不小于设定的载噪比门限值的数字子频带基带信号转变为模拟中频信号后输出至模拟上变频器；

所述模拟上变频器，用于对上行基带处理器输出的模拟中频信号进行上变频，并将得到的射频信号输出。