[发明专利]制备二有机二卤代硅烷的方法无效
| 申请号： | 201280005203.9 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103298821A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·E·安德森;阿斯维尼·K·达什;查尔斯·艾伦·霍尔;D·卡佐利斯;J·D·瓦恩兰 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/16 | 分类号： | C07F7/16 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 高瑜;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 有机 二卤代 硅烷 方法 | ||
1.一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：
(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中所述预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属；并且
(ii)使所述处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物为硅化钯。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物选自PdSi、Pd2Si、Pd3Si或Pd2Si9中的至少一者。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物为Pd2Si。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物为Pt2Si或Ni2Si。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中步骤(i)在650-1100℃的温度，而步骤(ii)在300-700℃的温度。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述二有机二卤代硅烷是根据式R2SiX2。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中R为甲基，并且X为氯。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其还包括在步骤(i)之前活化所述预先形成的金属硅化物。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其还包括(iii)使在(ii)中与所述有机卤化物反应的所述处理过的金属硅化物接触包含氢气和四卤化硅的所述混合物，以改良所述处理过的金属硅化物，以及(iv)使
所述改良的处理过的金属硅化物接触所述有机卤化物以形成所述二有机二卤代硅烷。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其还包括回收所述二有机二卤代硅烷。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述混合物中氢与四卤化硅的摩尔比为2至20。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述氢和四卤化硅具有0.5秒至10秒的停留时间。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中所述有机卤化物具有0.5秒至10秒的停留时间。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其还包括在步骤(i)之后和步骤(ii)之前活化所述处理过的金属硅化物。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中在步骤(ii)中所述处理过的金属硅化物与所述有机卤化物在不存在氢气或所述四卤化硅中至少一者的情况下反应。
17.1.一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：
(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中所述预先形成的金属硅化物选自Pt2Si、Ni2Si、PdSi、Pd2Si、Pd3Si或Pd2Si9中的至少一者；并且
(ii)使所述处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
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