[发明专利]电子材料用Cu-Si-Co系铜合金及其制造方法

权利要求书

1.铜合金，其为含有Co：0.5~2.5质量%、Si：0.1~0.7质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，通过以压延面为基准的X射线衍射极图测定而获得的结果中，由α＝35°下的β扫描获得的相对于｛200｝Cu面的｛111｝Cu面的衍射峰强度中，β角度90°的峰高为标准铜粉末的相同角度的峰高的2.5倍以上。

2.根据权利要求1所述的铜合金，其中，满足：

式一：-55×（Co浓度）²+250×（Co浓度）＋520≥YS≥-55×（Co浓度）²+250×（Co浓度）＋370、及

式二：60×（Co浓度）＋400≥Kb≥60×（Co浓度）＋275

式中，Co浓度的单位为质量%，YS为0.2%屈服强度，Kb为弹性极限值。

3.根据权利要求1或2所述的铜合金，其中，YS为500MPa以上，并且Kb和YS的关系满足：

式三：0.43×YS＋215≥Kb≥0.23×YS＋215

式中，YS为0.2%屈服强度，Kb为弹性极限值。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的铜合金，其中，Co的质量浓度与Si的质量浓度之比Co/Si满足3≤Co/Si≤5。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的铜合金，其中，还含有小于1.0质量%的Ni。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的铜合金，其中，还含有总计最大2.0质量%的选自Cr、Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag中的至少一种。

7.铜合金的制造方法，其包括依次进行以下的工序：

-对具有权利要求1~6中任一项所述的组成的铜合金的铸锭进行熔解铸造的工序1；

-在900℃以上1050℃以下加热1小时以上后进行热轧的工序2；

-冷轧工序3；

-在850℃以上1050℃以下进行固溶处理，将直至400℃为止的平均冷却速度设为毎秒10℃以上进行冷却的工序4；

-第一时效处理工序5，其具有：将材料温度设为480~580℃加热1~12小时的第一阶段；接着将材料温度设为430~530℃加热1~12小时的第二阶段；和接着将材料温度设为300~430℃加热4~30小时的第三阶段，且将从第一阶段到第二阶段的冷却速度及从第二阶段到第三阶段的冷却速度分别设为0.1℃/分钟以上，将第一阶段和第二阶段的温度差设为20~80℃，将第二阶段和第三阶段的温度差设为20~180℃进行多阶段时效；

-冷轧工序6；和

-在100℃以上且小于350℃下进行1~48小时的第二时效处理工序7。

8.伸铜制品，其包含权利要求1~6中任一项所述的铜合金。

9.电子部件，其具备权利要求1~6中任一项所述的铜合金。