[发明专利]新型化合物半导体及其应用有效
| 申请号： | 201280014424.2 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103459310A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 朴哲凞;金兑训 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01G15/00;C01G51/00;C01G30/00;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 化合物 半导体 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种化合物半导体，由以下的化学式1表示：
化学式1
InxCo4-aSb12-zQz
其中，在化学式1中，Q是选自由以下各项组成的组的至少一种：O、S、Se和Te，0<x≤0.5，0<a≤1并且0≤z≤4。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<x≤0.4。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<a≤0.5。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中，在化学式1中，0<z≤4。
5.一种化合物半导体的制备方法，包括：
形成包含In、Co和Sb的混合物；并且
对所述混合物进行热处理，由此制备如权利要求1所述的化合物半导体。
6.根据权利要求5所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述混合物进一步包括选自O、S、Se、Te及其氧化物组成的组中的至少一个。
7.根据权利要求5所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述热处理步骤在400℃至800℃进行。
8.根据权利要求5所述的化合物半导体的制备方法，其中，所述热处理步骤包括至少两个热处理阶段。
9.一种热电转换装置，包括如权利要求1至4的任一项所述的化合物半导体。
10.一种太阳能电池，包括如权利要求1至4的任一项所述的化合物半导体。
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