[发明专利]固态成像器件、用于驱动其的方法、用于制造其的方法及电子装置

权利要求书

1.一种固态成像器件包括：

第一传导类型的第一沟道部分，位于第二传导类型的电荷累积区域和光电二极管之间；和

第二传导类型的溢出路径，位于第二传导类型的中间电极和所述电荷累积区域之间。

2.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述中间电极电连接到电荷累积部分。

3.根据权利要求1的固态成像器件，进一步包括：

所述电荷累积区域的表面层部分中的第一传导类型的半导体区域，所述第一传导类型的半导体区域位于所述第一沟道部分和所述溢出路径之间。

4.根据权利要求1的固态成像器件，进一步包括：

所述第一沟道部分的表面层部分中的第一传导类型的半导体区域。

5.根据权利要求1的固态成像器件，进一步包括：

所述光电二极管的表面层部分中的第一传导类型的半导体区域。

6.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述中间电极是电容器的电极。

7.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述电荷累积部分是电容器。

8.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述电荷累积部分具有比所述电荷累积区域更高的单位面积电容值。

9.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述第二传导类型的溢出路径与所述电荷累积区域和所述中间电极物理接触。

10.根据权利要求1的固态成像器件，进一步包括：

第一传导类型的第二沟道部分，位于第二传导类型的半导体区域和所述电荷累积区域之间。

11.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述中间电极中第二传导类型的杂质浓度大于所述电荷累积区域中第二传导类型的杂质浓度。

12.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述第一沟道部分与所述电荷累积区域和所述光电二极管物理接触。

13.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述溢出路径与所述电荷累积区域和所述中间电极物理接触。

14.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述第一传导类型是P型。

15.根据权利要求1的固态成像器件，其中，所述第二传导类型是N型。

16.一种电子设备包括：

根据权利要求1的固态成像器件；和

光学单元，配置为捕获来自被摄体的入射光并在所述固态成像器件的像面上形成被摄体的图像。

17.一种固态成像器件包括：

光电转换部分，配置为产生光电荷，可累积在所述光电转换部分中的光电荷等于或者小于光电转换部分的饱和电荷量；

第一传输门部分溢出路径，配置为从所述光电转换部分内溢出过量光电荷，来自所述光电转换部分内的所述过量光电荷是超过光电转换部分的所述饱和电荷量的光电荷；

第一电荷累积区域，配置为累积在所述光电转换部分中可累积的所述光电荷和来自所述光电转换部分内的所述过量光电荷，在所述第一电荷累积区域中可累积的光电荷等于或者小于第一电荷累积区域的饱和电荷量；

半导体区域溢出路径，配置为从所述第一电荷累积区域内溢出过量光电荷，来自所述第一电荷累积区域内的过量光电荷是超过第一电荷累积区域的所述饱和电荷量的光电荷；和

半导体区域，配置为累积来自所述第一电荷累积区域内的所述过量光电荷。

18.一种用于驱动固态成像器件的方法，所述方法包括：

在光电转换部分中累积光电荷的步骤，所述光电转换部分根据由所述光电转换部分接收到的光量产生光电荷的量；

当在所述光电转换部分中的光电荷的量超过光电转换部分饱和电荷量时从所述光电转换部分溢出所述光电荷到第一电荷累积部分的步骤；

在第一电荷累积部分中累积所述光电荷的步骤，所述第一电荷累积部分从所述光电转换部分接收所述光电荷；

传送所述第一电荷累积部分中累积的所述光电荷到浮动扩散部分的步骤，所述浮动扩散部分将所述光电荷转换为电信号。