[发明专利]用于监测和控制硅棒温度的方法和系统

权利要求书

1.一种在化学气相沉积（CVD）过程期间监测CVD反应器中的至少一个硅棒的表面温度的方法，所述方法包括：

捕获CVD反应器的内部的图像，所述图像包括硅棒；

扫描所述图像以识别所述硅棒的左边缘和所述硅棒的右边缘；

识别在所述左边缘和所述右边缘中间的目标区域；以及

确定所述目标区域中的所述硅棒的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CVD反应器为Siemens反应器。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，捕获图像包括捕获所述CVD反应器的内部的数字图像。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，扫描图像包括分析图像的单独的像素以发现从较低温度到较高温度的转变。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，捕获数字图像包括捕获所述CVD反应器内的可见波长辐射的数字图像。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定目标区域中的硅棒的温度包括比较在所述图像中捕获的硅棒的辐射强度与参考图像的辐射强度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所确定的目标区域内的硅棒的温度控制所述硅棒的表面温度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，控制表面温度包括利用所确定的温度作为给电源的反馈，该电源联接为向所述硅棒提供电功率。

9.一种系统，包括：

包含内部的化学气相沉积（CVD）反应器；

联接在所述CVD反应器的内部的多个硅棒；

定位成捕获所述CVD反应器的内部和所述多个硅棒中的至少一个硅棒的图像的成像装置；

控制器，所述控制器配置成：

扫描所述图像以识别所述硅棒的左边缘和所述硅棒的右边缘；

识别在所识别的所述左边缘和右边缘中间的目标区域；

确定所述目标区域中的所述硅棒的温度。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述CVD反应器为Siemens反应器。

11.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述系统还包括联接到硅棒的电源，所述电源向硅棒提供电功率以控制所述硅棒的温度，其中，所述控制器还配置成利用所确定的温度作为给电源的反馈。

12.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述成像装置包括数字成像装置。

13.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，所述控制器配置成扫描所述图像，以便通过分析所述图像的单独的像素来发现从较低温度到较高温度的转变，从而识别所述硅棒的左边缘和所述硅棒的右边缘。

14.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，所述数字成像装置包括可见波长数字成像装置。

15.根据权利要求14所述的系统，其特征在于，所述成像装置包括电荷耦合器件（CCD）传感器。

16.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述控制器配置成：通过比较在所述图像中捕获的所述硅棒的辐射强度与参考图像的辐射强度，确定所述目标区域内的硅棒的温度。

17.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述控制器配置成：

当所述控制器没有识别到所述硅棒的左边缘或右边缘时，将先前识别的所述硅棒的左边缘或右边缘用作所述硅棒的被识别的左边缘或右边缘。

18.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述多个硅棒包括20个或更多的硅棒。

19.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述多个硅棒包括54个硅棒。

20.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述控制器还配置为确定所述图像中的硅棒的直径。