[发明专利]具有选择性形成的金属罩的集成电路结构

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：

提供包括晶体管（6）的前体结构，所述晶体管具有金属栅极（8）以及与所述金属栅极相邻的间隔物（14）；

在所述金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层（18）；

至少部分氧化（20）所述止蚀层；以及

在所述至少部分氧化的止蚀层之上形成介电层（22）。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述介电层内形成延伸至所述止蚀层（20）的开口（26）；以及

在所述开口内形成触头（28）。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述介电层内形成所述开口包括蚀刻所述介电层，其中所述止蚀层在蚀刻期间防止对所述金属栅极的蚀刻，并且其中所述止蚀层在形成所述触头之后使所述金属栅极与所述触头物理及电隔离。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述止蚀层作为金属层仅选择性地形成于所述金属栅极的所述暴露部分之上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中对所述止蚀层的至少部分氧化包括氧化基本上整个所述止蚀层。

6.根据权利要求4所述的方法，其中对所述止蚀层的至少部分氧化包括仅氧化所述止蚀层的外面部分（32）。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述金属层包括钴（Co）、锰（Mn）、钨（W）、铱（Ir）、铑（Rh）或钌（Ru）中的至少一项。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述止蚀层的形成包括仅将所述止蚀层沉积于所述金属栅极的所述暴露部分之上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中沉积使用化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）或无电沉积来执行。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述止蚀层具有在大约0.5纳米与10纳米之间的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：在与所述金属栅极邻接的金属内衬（10）之上以及与所述金属内衬邻接的高k值的内衬（12）之上选择性地形成所述止蚀层。

12.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成晶体管结构（6），所述晶体管结构具有暴露的金属栅极（8）以及与所述暴露的金属栅极相邻的间隔物（14）；

在所述暴露的金属栅极之上沉积止蚀层（18），除所述间隔物外；

基本上氧化（20）整个所述止蚀层；以及

在所述止蚀层之上形成介电层（22）。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述介电层内形成延伸至所述止蚀层的开口（26）；并且

在所述开口内形成触头（28）。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述介电层内形成所述开口包括蚀刻所述介电层，并且其中所述止蚀层在蚀刻期间防止对所述金属栅极的蚀刻，并且其中所述止蚀层在形成所述触头之后使所述金属栅极与所述触头物理及电隔离。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述止蚀层是包括钴（Co）、锰（Mn）或钌（Ru）中的至少一项的金属层。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述止蚀层的沉积包括仅在所述暴露的金属栅极之上沉积所述止蚀层，并且使用化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）或无电沉积来执行。

17.一种集成电路结构，包括：

基板（4）；

位于所述基板之上的金属栅极（6）；

在所述基板之上且基本上包围所述金属栅极的至少一个内衬层（12）；以及

直接位于所述金属栅极之上的至少部分氧化的止蚀层（30，32），所述止蚀层包括钴（Co）、锰（Mn）、钨（W）、铱（Ir）、铑（Rh）或钌（Ru）中的至少一项。

18.根据权利要求17所述的集成电路结构，还包括与所述至少一个内衬层相邻的间隔物部件（14），其中所述止蚀层仅形成于所述金属栅极及所述至少一个内衬层之上。

19.根据权利要求17所述的集成电路结构，其中所述止蚀层只是被部分氧化。

20.根据权利要求17所述的集成电路结构，其中所述止蚀层被完全氧化。