[发明专利]效率增强的热电装置

权利要求书

1.一种热电装置，包括：

第一电气区域，其与第一电气端子电气接触；

第二电气区域，其与第二电气端子电气接触；以及

第三电气区域，其与导热的热端子热接触，第三材料夹置在第一材料与第二材料之间，

其中热量根据在所述第一电端子与所述第二电端子之间施加电压时所述第一端子与所述第二端子之间的电流流动在所述热端子与所述热门之间转移。

2.根据权利要求1所述的热电装置，还包括被配置成使所述第一电气区域采用第一温度并且所述第二电气区域采用不同于所述第一温度的第二温度的温度控制构造。

3.根据权利要求1所述的热电装置，其中热量转移包括在所述电流流动沿第一方向行进时从所述热电门到所述导热的热端子的热量转移。

4.根据权利要求1所述的热电装置，其中热量转移包括在所述电流流动沿第二方向行进时从所述导热的热端子到所述热电门的热量转移。

5.根据权利要求1所述的热电装置，其中热量转移的量与所述电流流动的量成比例。

6.根据权利要求1所述的热电装置，其中所述导热的热端子与所述第一电气区域和所述第二电气区域二者热隔离。

7.根据权利要求1所述的热电装置，其中：

所述第一电气区域处于第一电气定域态；并且

所述电气区域处于第二电气定域态。

8.根据权利要求8所述的热电装置，其中所述第一电气定域态或所述第二定域态中的至少一个或二者都被实施为量子点。

9.根据权利要求8所述的热电装置，其中所述第一电气定域态或所述第二定域态中的任一个或二者都成分子状实施。

10.根据权利要求1所述的热电装置，包括具有P-I-N结点的正区域、固有区域和负区域的结点，

其中：

所述热电门为所述P-I-N结点的所述固有区域；

所述第一电气区域和第二电气区域为不同的区域，每一个所述区域选自由所述P-I-N结点的所述正区域和所述P-I-N结点的所述负区域构成的组。

11.根据权利要求1所述的热电装置，其中所述第一电气区域材料包括掺杂有大约10^18-19掺杂剂/cc的量的掺杂剂的半导体并且所述第二电气区域包括掺杂有大约10^15-16掺杂剂/cc的量的掺杂剂的半导体。

12.根据权利要求11所述的热电装置，其中所述掺杂剂导致p型半导体。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述掺杂剂导致n型半导体。

14.根据权利要求1所述的电装置，其中所述热电门包括超晶格。

15.一种用于使用热电装置转移热量的方法，包括：

提供热电装置，所述热电装置具有：

第一电气区域，其与第一电气端子电气接触；

第二电气区域，其与第二电气端子电气接触；以及

第三电气区域，其与导热的热端子热接触，所述第三区域夹置在所述第一区域与所述第二区域之间，

其中所述热端子与所述热门之间的热量转移根据所述第一电气端子与所述第二电气端子之间的电流流动；

调整通过所述第一电气端子与所述第二电气端子之间的电流；以及

根据通过所述第一电气端子与所述第二电气端子之间的所述电流而在所述热电门与所述导热的热端子之间转移热量。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括使所述第一电气区域采用第一温度并且所述第二电气区域采用不同于所述第一温度的第二温度。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述热量的量与所述电流流动的量成比例。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述导热的热端子与所述第一电气区域和所述第二电气区域二者热隔离。