[发明专利]制备二有机二卤代硅烷的方法

权利要求书

1.一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：

(a)在500至1400℃的温度下用包含氢气和有机三卤代硅烷的混合物处理包含选自i)金、ii)金和铜、iii)金、铜和镁、iv)铜、铑和金、v)铜、铑和铼、vi)铼和钯、vii)铜以及viii)铜和镁的金属的金属催化剂以形成含硅金属中间体；以及

(b)使所述含硅金属中间体与根据式RX的有机卤化物在100至600℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷和耗尽的含硅金属中间体，其中R为C₁-C₁₀烃基且X为卤代基。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括(c)使步骤(b)中形成的所述耗尽的含硅金属中间体与氢气和所述有机三卤代硅烷在500至1400℃的温度下接触以重新形成包含至少0.1％(w/w)硅的含硅金属中间体；以及(d)使所述重新形成的含硅金属中间体与所述有机卤化物在100至600℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括将步骤(c)和(d)重复至少1次。

4.根据权利要求2或3所述的方法，还包括在步骤(d)中使所述重新形成的含硅金属中间体与所述有机卤化物接触之前进行吹扫。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述吹扫用氩气或有机三卤代硅烷进行。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，还包括在步骤(b)中使所述含硅金属中间体与所述有机卤化物接触之前进行吹扫。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述吹扫用氩气或有机三卤代硅烷进行。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述金属催化剂还包含载体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属催化剂包含0.1-35％(w/w)的所述金属，并且所述金属包含铜、金和镁。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述载体是活性炭。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中所述含硅金属中间体包含1-5％(w/w)的硅。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中步骤(a)中氢与四卤化硅的摩尔比为20:1至5:1。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述有机卤化物是氯甲烷，并且所述有机三卤代硅烷是CH₃SiCl₃。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，还包括回收所述二有机二卤代硅烷。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中在步骤(a)中所述氢气和有机三卤代硅烷的停留时间为1至10秒并且在步骤(b)中所述有机卤化物的停留时间为1至10秒。

16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中步骤(b)是在7至1000kPag的压力下。

17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中步骤(a)是在7至1000kPag的压力下。

18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其中所述二有机二卤代硅烷是二甲基二氯硅烷。

19.根据权利要求1-18中任一项所述的方法，其中所述方法还包括水解所述二有机二卤代硅烷以形成聚有机硅氧烷的步骤。

20.一种聚有机硅氧烷，所述聚有机硅氧烷通过根据权利要求19所述的方法形成。